- Артикул: 00384829
- Количество в упаковке: 15
- Норма упаковки: 2500
IDM08G120C5XTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Best-in-class forward voltage (V F)
No reverse recovery charge
Mild positive temperature dependency of V F
Best-in-class surge current capability
Excellent thermal performance
Up to 40A rated diode
Диод SiC 1200В, 8А, 1.7В, PG-TO252-2
No reverse recovery charge
Mild positive temperature dependency of V F
Best-in-class surge current capability
Excellent thermal performance
Up to 40A rated diode
Диод SiC 1200В, 8А, 1.7В, PG-TO252-2
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IDM08G120C5XTMA1
Наименование класса номенклатуры
Диод SiC
OPN
SP001162122
Основные характеристики
Vrrm
(максимальное обратное напряжение)
1200 В
If
(прямой ток)
8 А
Vf
(прямое падение напряжения)
1.7 В
Конфигурация
Single
Тип монтажа
Surface Mount
Тип
Silicon Carbide Schottky
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
PG-TO252-2
Упаковка
Норма упаковки
2500
Количество в упаковке
15
Диод SiC IDM08G120C5XTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IDM08G120C5XTMA1: Vrrm: 1200 В; If: 8 А; Vf: 1.7 В; Корпус: PG-TO252-2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IDM08G120C5XTMA1: Vrrm: 1200 В; If: 8 А; Vf: 1.7 В; Корпус: PG-TO252-2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.