- Артикул: 00382168
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IHW30N65R5XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Lowest V CE(sat) and optimized E off for loss reduction up to 30% compared to previous generation
650V blocking voltage
Hard switching capable
IGBT транзистор 650В, 30А, 20~150кГц, 1.7В, TO-247AC
650V blocking voltage
Hard switching capable
IGBT транзистор 650В, 30А, 20~150кГц, 1.7В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IHW30N65R5XKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001273470
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
30 А
f раб.
(рабочая частота)
20~150кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.7 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
IGBT транзистор IHW30N65R5XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IHW30N65R5XKSA1: V ce: 650 В; I c: 30 А; f раб.: 20~150кГц; V CE(on): 1.7 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IHW30N65R5XKSA1: V ce: 650 В; I c: 30 А; f раб.: 20~150кГц; V CE(on): 1.7 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.