- Артикул: 00423183
IKW25N120T2FKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IKW25N120T2FKSA1
Серия
TrenchStop®
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP000244960
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
50 А
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.2 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Тип монтажа
Through Hole
Мощность
349 Вт
Размеры
Корпус
TO-247-3
Типоразмер
PG-TO247-3-1
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
IKW25N120T2FKSA1 Infineon
Аналоги
Infineon | IGBT транзистор IRG7PH35UD-EP; V ce: 1200 В; I c: 25 А; f раб.: 8~40кГц; V CE(on): 2.8 В; Корпус: TO-247AC | Под заказ | 0 руб./шт. |
IRG7PH35UD-EP Infineon
Полная карточка товара
IGBT транзистор IRG7PH35UD-EP; V ce: 1200 В; I c: 25 А; f раб.: 8~40кГц; V CE(on): 2.8 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Паллете
|
IGBT транзистор IKW25N120T2FKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKW25N120T2FKSA1: TrenchStop® V ce: 1200 В; I c: 50 А; V CE(on): 2.2 В; Корпус: TO-247-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IKW25N120T2FKSA1: TrenchStop® V ce: 1200 В; I c: 50 А; V CE(on): 2.2 В; Корпус: TO-247-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.