- Артикул: 00311129
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGP6690D-EPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 90А, 8~30кГц, 2.3В, TO-247AD
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGP6690D-EPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001542324
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
90 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.3 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247AD
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
1
IGBT транзистор IRGP6690D-EPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGP6690D-EPBF: V ce: 600 В; I c: 90 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.3 В; Корпус: TO-247AD.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGP6690D-EPBF: V ce: 600 В; I c: 90 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 2.3 В; Корпус: TO-247AD.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.