Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы

Удалить все фильтры
Производитель
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Qrr
I d
Корпус
image/svg+xml
Код товара производителя
IMZ120R045M1XKSA1
IMW120R045M1XKSA1
IMW120R350M1HXKSA1
IMW120R220M1HXKSA1
IMW120R140M1HXKSA1
IMW120R090M1HXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1
IMW65R027M1HXKSA1
IMZ120R060M1HXKSA1
IMBF170R650M1XTMA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
IMW65R048M1HXKSA1
IMW65R107M1HXKSA1
IMW65R072M1HXKSA1
IMBG120R060M1HXTMA1
IMBG120R090M1HXTMA1
IMBG120R140M1HXTMA1
IMBG120R350M1H
IMBG120R220M1HXTMA1
RSM120040W
RSM120080W
G1M080120BM
RSM170045W
RSM065030W
YJD212080NCFG1
YJD212080NCTG1
RSM120160W
RSM1701K0W
YJD212040NCTG1
YJD212040NCFG
YJD212040NCFG1
AIMW120R035M1HXKSA1
RSM120025Z
YJD217045NCFGH
YJD212060NCTGH
YJD212040NCFGH
YJD212060NCFGH
YJD206525NCFGH
YJD206525NCTGH
Производитель
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Qrr
I d
Корпус
Наличие
Цена от
Infineon N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-4 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R045M1XKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Qrr: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R045M1XKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 59 мОм; Qrr: 52 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
Infineon N-Channel 1200 В 455 мОм 5.3 нКл 4.7 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R350M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 455 мОм; Qrr: 5.3 нКл; I d: 4.7 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1200 В 286 мОм 8.5 нКл 13 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R220M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 286 мОм; Qrr: 8.5 нКл; I d: 13 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
Infineon N-Channel 1200 В 182 мОм 13 нКл 19 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R140M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 182 мОм; Qrr: 13 нКл; I d: 19 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 240 Штук в Пенале
Infineon N-Channel 1200 В 117 мОм 21 нКл 26 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R090M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 117 мОм; Qrr: 21 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 240 Штук в Пенале
Infineon N-Channel 1200 В 78 мОм 31 нКл 36 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R060M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 78 мОм; Qrr: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 8 Штук в Коробке
Infineon N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW120R030M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 240 Штук в Пенале
Infineon N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-4 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R030M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 63 нКл; I d: 56 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 650 В 27 мОм 62 нКл 47 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R027M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 27 мОм; Qrr: 62 нКл; I d: 47 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1200 В 60 мОм 31 нКл 36 А TO-247-4 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMZ120R060M1HXKSA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 60 мОм; Qrr: 31 нКл; I d: 36 А; Корпус: TO-247-4
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1700 В 650 мОм 8 нКл 7.4 А PG-TO263-7 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBF170R650M1XTMA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 650 мОм; Qrr: 8 нКл; I d: 7.4 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ 15 Штук в Коробке
Infineon N-Channel 1700 В 1000 мОм 5 нКл 5.2 А PG-TO263-7 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBF170R1K0M1XTMA1; SiC MOSFET Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; Qrr: 5 нКл; I d: 5.2 А; Корпус: PG-TO263-7
Добавить в избранное
Под заказ 15 Штук в Коробке
Infineon N-Channel 650 В 48 мОм 33 нКл 24 А TO-247AC Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R048M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 48 мОм; Qrr: 33 нКл; I d: 24 А; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 650 В 107 мОм 15 нКл 20 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R107M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 107 мОм; Qrr: 15 нКл; I d: 20 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 650 В 72 мОм 22 нКл 26 А TO-247-3 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMW65R072M1HXKSA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 72 мОм; Qrr: 22 нКл; I d: 26 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1200 В 83 мОм 34 нКл 36 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R060M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 83 мОм; Q g: 34 нКл ; I d: 36 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1200 В 125 мОм 23 нКл 26 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R090M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 125 мОм; Q g: 23 нКл ; I d: 26 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1200 В 189 мОм 13.4 нКл 18 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R140M1HXTMA1; CoolSiC™ Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 189 мОм; Q g: 13.4 нКл ; I d: 18 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ 6 Штук в Коробке
Infineon N-Channel 1200 В 468 мОм 5.9 нКл 4.7 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R350M1H Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R350M1H; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1.2 кВ; Rds(on): 468 мОм; Q g: 5.9 нКл ; I d: 4.7 А; Корпус: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
Infineon N-Channel 1200 В 35 мОм 59 нКл 52 А TO-247 Под заказ 569.70 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор IMBG120R220M1HXTMA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 35 мОм; Qrr: 59 нКл; I d: 52 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ 1000 Штук в Катушке
от 1 шт. 569.70 руб./шт.
Reasunos N-Channel 1200 В 40 мОм 109 нКл 68 А TO-247-3 Под заказ 1 901.26 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120040W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120040W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 40 мОм; Qrr: 109 нКл; I d: 68 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
от 1 шт. 1 901.26 руб./шт.
Reasunos N-Channel 1200 В 80 мОм 80 нКл 28 А TO-247-3 Под заказ 1 891.50 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120080W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120080W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 80 нКл; I d: 28 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
от 1 шт. 1 891.50 руб./шт.
Global Power Technology N-Channel 1200 В 80 мОм 46 нКл 40 А TO-247 Под заказ 2 281.50 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
G1M080120BM Global Power Technology
Полная карточка товара
SiC транзистор G1M080120BM; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 46 нКл; I d: 40 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ 10 Штук в Пенале
от 1 шт. 2 281.50 руб./шт.
Reasunos N-Channel 1700 В 45 мОм 220 нКл 72 А TO-247-3 Под заказ 5 087.60 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM170045W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM170045W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 45 мОм; Qrr: 220 нКл; I d: 72 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 1 Штука в Пенале
от 1 шт. 5 087.60 руб./шт.
Reasunos N-Channel 650 В 30 мОм 100 нКл 55 А TO-247-3 Под заказ 1 217.06 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM065030W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM065030W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 30 мОм; Qrr: 100 нКл; I d: 55 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
от 1 шт. 1 217.06 руб./шт.
SuncoYJ - - - - - - Под заказ 849.22 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212080NCFG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212080NCFG1; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ 1800 Штук в Пенале
от 1 шт. 849.22 руб./шт.
SuncoYJ - - - - - - Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212080NCTG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212080NCTG1; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ 1800 Штук в Пенале
Reasunos N-Channel 1200 В 160 мОм 50 нКл 18 А TO-247-3 Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120160W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120160W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 160 мОм; Qrr: 50 нКл; I d: 18 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
Reasunos N-Channel 1700 В 1000 мОм 15 нКл 5 А TO-247-3 Под заказ 296.59 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM1701K0W Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM1701K0W; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1700 В; Rds(on): 1000 мОм; Qrr: 15 нКл; I d: 5 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
от 1 шт. 296.59 руб./шт.
SuncoYJ - - - - - - Под заказ 495.55 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCTG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212040NCTG1; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
от 1 шт. 495.55 руб./шт.
SuncoYJ - - - - - - Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCFG SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212040NCFG; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ 1800 Штук в Пенале
SuncoYJ - - - - - - Под заказ 1 014 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCFG1 SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212040NCFG1; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ 30 Штук в Пенале
от 1 шт. 1 014 руб./шт.
Infineon N-Channel 1200 В 44 мОм 59 нКл 52 А TO-247 Под заказ 0 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
AIMW120R035M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор AIMW120R035M1HXKSA1; Производитель: Infineon
Добавить в избранное
Под заказ 20 Штук в Пенале
Reasunos N-Channel 1200 В 25 мОм 320 нКл 90 А TO-247-3 Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
RSM120025Z Reasunos
Полная карточка товара
SiC транзистор RSM120025Z; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 25 мОм; Qrr: 320 нКл; I d: 90 А; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ 540 Штук в Пенале
SuncoYJ - - - - - - Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD217045NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD217045NCFGH; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ Поштучная продажа
SuncoYJ - - - - - - Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212060NCTGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212060NCTGH; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ 1800 Штук в Пенале
SuncoYJ - - - - - - Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212040NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212040NCFGH; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ 1800 Штук в Пенале
SuncoYJ - - - - - - Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD212060NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD212060NCFGH; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ 1800 Штук в Пенале
SuncoYJ - - - - - - Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD206525NCFGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD206525NCFGH; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ 1800 Штук в Пенале
SuncoYJ - - - - - - Под заказ -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
YJD206525NCTGH SuncoYJ
Полная карточка товара
SiC транзистор YJD206525NCTGH; Производитель: SuncoYJ
Добавить в избранное
Под заказ 1800 Штук в Пенале
  • Назад
  • 1
  • Вперед
    • 50
    • 150
    • 250
Для комфортного просмотра контента на мобильном устройстве, приведите устройство в горизонтальное положение