- Артикул: 00279187
- Количество в упаковке: 2500
- Стандартная упаковка: Катушка
IPD530N15N3GBTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 150В, 53 мОм, 8.7 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD530N15N3GBTMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000521720
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
150 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
53 мОм
Qg
(заряд затвора)
8,7 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
2500
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
961.95 КБ
MOSFET транзистор IPD530N15N3GBTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD530N15N3GBTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 53 мОм; Qg: 8,7 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD530N15N3GBTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 53 мОм; Qg: 8,7 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.