- Артикул: 00222550
- Количество в упаковке: 1
IRFD110PBF Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: IRFD110PBF
Производитель: Vishay
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 100В, 540 мОм, 8,3 нКл, 1А, HVMDIP
Производитель
Vishay
Код товара производителя
IRFD110PBF
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
100 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
540 мОм
Qg
(заряд затвора)
8,3 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
1 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
HVMDIP
Упаковка
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
148.79 КБ
MOSFET транзистор IRFD110PBF, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента IRFD110PBF: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 540 мОм; Qg: 8,3 нКл; Id: 1 А; Корпус: HVMDIP.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRFD110PBF: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 540 мОм; Qg: 8,3 нКл; Id: 1 А; Корпус: HVMDIP.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.