- Артикул: 00411994
- Количество в упаковке: 5000
- Стандартная упаковка: Катушка
SI4190ADY-T1-GE3 Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: SI4190ADY-T1-GE3
Производитель: Vishay
Спецификация
MOSFET транзистор SI4190ADY-T1-GE3 N-Channel, 100В, 8.8 мОм, 44.4 нКл, 18.4А, SO-8
Производитель
Vishay
Код товара производителя
SI4190ADY-T1-GE3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор SI4190ADY-T1-GE3
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
100 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
8,8 мОм
Qg
(заряд затвора)
44,4 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
18.4 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
SO-8
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
5000
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
208.7 КБ
MOSFET транзистор SI4190ADY-T1-GE3 SI4190ADY-T1-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SI4190ADY-T1-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 8,8 мОм; Qg: 44,4 нКл; Id: 18.4 А; Корпус: SO-8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SI4190ADY-T1-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 8,8 мОм; Qg: 44,4 нКл; Id: 18.4 А; Корпус: SO-8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.