- Артикул: 00405855
- Количество в упаковке: 3000
- Стандартная упаковка: Катушка
SiDR626DP-T1-GE3 Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: SiDR626DP-T1-GE3
Производитель: Vishay
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 60В, 1.7 мОм, 52 нКл, 100А, PowerPAK SO-8DC
Производитель
Vishay
Код товара производителя
SiDR626DP-T1-GE3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
60 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
1,7 мОм
Qg
(заряд затвора)
52 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
100 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
PowerPAK® SO-8DC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
3000
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
205.04 КБ
MOSFET транзистор SiDR626DP-T1-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SiDR626DP-T1-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 1,7 мОм; Qg: 52 нКл; Id: 100 А; Корпус: PowerPAK® SO-8DC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SiDR626DP-T1-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 1,7 мОм; Qg: 52 нКл; Id: 100 А; Корпус: PowerPAK® SO-8DC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.