- Артикул: 00364440
- Количество в упаковке: 10
SIHFR210-GE3 Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: SIHFR210-GE3
Производитель: Vishay
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 200В, 1.5 Ом, 8.2 нКл, 2.6А, DPAK (TO-252)
Производитель
Vishay
Код товара производителя
SIHFR210-GE3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
1,5 Ом
Qg
(заряд затвора)
8,2 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
2.6 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
DPAK (TO-252)
Упаковка
Количество в упаковке
10
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
827.08 КБ
MOSFET транзистор SIHFR210-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SIHFR210-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 1,5 Ом; Qg: 8,2 нКл; Id: 2.6 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIHFR210-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 1,5 Ом; Qg: 8,2 нКл; Id: 2.6 А; Корпус: DPAK (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.