- Артикул: 00354427
- Количество в упаковке: 10
SiR622DP-T1-GE3 Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: SiR622DP-T1-GE3
Производитель: Vishay
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 150В, 17.7 мОм, 20.7 нКл, 51.6А, PowerPAK SO-8 Single
Производитель
Vishay
Код товара производителя
SiR622DP-T1-GE3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
150 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
17,7 мОм
Qg
(заряд затвора)
20,7 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
51.6 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
PowerPAK® SO-8 Single
Упаковка
Количество в упаковке
10
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
415.37 КБ
MOSFET транзистор SiR622DP-T1-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SiR622DP-T1-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 17,7 мОм; Qg: 20,7 нКл; Id: 51.6 А; Корпус: PowerPAK® SO-8 Single.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SiR622DP-T1-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 17,7 мОм; Qg: 20,7 нКл; Id: 51.6 А; Корпус: PowerPAK® SO-8 Single.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.