- Артикул: 00354850
- Количество в упаковке: 160
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: SIR882ADP-T1-GE3
Производитель: Vishay
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 100В, 8.7 мОм, 19.5 нКл, 60А, PowerPAK SO-8 Single
Производитель
Vishay
Код товара производителя
SIR882ADP-T1-GE3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
100 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
8,7 мОм
Qg
(заряд затвора)
19,5 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
60 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
PowerPAK® SO-8 Single
Упаковка
Количество в упаковке
160
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
370.27 КБ
MOSFET транзистор SIR882ADP-T1-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SIR882ADP-T1-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 8,7 мОм; Qg: 19,5 нКл; Id: 60 А; Корпус: PowerPAK® SO-8 Single.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIR882ADP-T1-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 8,7 мОм; Qg: 19,5 нКл; Id: 60 А; Корпус: PowerPAK® SO-8 Single.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.