- Артикул: 00423981
SIRB40DP-T1-GE3 Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: SIRB40DP-T1-GE3
Производитель: Vishay
Спецификация
Производитель
Vishay
Код товара производителя
SIRB40DP-T1-GE3
Серия
TrenchFET®
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
2 N-Channel (Dual)
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
40 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
3,25 мОм
Qg
(заряд затвора)
45 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
40 А
Тип монтажа
Surface Mount
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Ёмкость
4290 пФ
Размеры
Корпус
PowerPAK® SO-8 Dual
Типоразмер
PowerPAK® SO-8 Dual
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
350.56 КБ
MOSFET транзистор SIRB40DP-T1-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SIRB40DP-T1-GE3: TrenchFET® Полярность: 2 N-Channel (Dual); V(br)dss: 40 В; Rds(on): 3,25 мОм; Qg: 45 нКл; Id: 40 А; Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIRB40DP-T1-GE3: TrenchFET® Полярность: 2 N-Channel (Dual); V(br)dss: 40 В; Rds(on): 3,25 мОм; Qg: 45 нКл; Id: 40 А; Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.