- Артикул: 00403138
SIS430DN-T1-GE3 Vishay
Краткое описание
Код товара у производителя: SIS430DN-T1-GE3
Производитель: Vishay
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 25В, 5.1 мОм, 13 нКл, 35А, PowerPAK 1212-8S
Производитель
Vishay
Код товара производителя
SIS430DN-T1-GE3
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
25 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
5,1 мОм
Qg
(заряд затвора)
13 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
35 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
PowerPAK® 1212-8S
MOSFET транзистор SIS430DN-T1-GE3, производителя Vishay
Ключевые параметры компонента SIS430DN-T1-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 25 В; Rds(on): 5,1 мОм; Qg: 13 нКл; Id: 35 А; Корпус: PowerPAK® 1212-8S.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIS430DN-T1-GE3: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 25 В; Rds(on): 5,1 мОм; Qg: 13 нКл; Id: 35 А; Корпус: PowerPAK® 1212-8S.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Vishay в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.