- Артикул: 00420223
- Количество в упаковке: 8
FF2MR12KM1PHOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF2MR12KM1PHOSA1
Серия товаров
CoolSiC™
Наименование класса номенклатуры
SiC Mosfet модуль
OPN
SP005349765
Основные характеристики
V dsm
(максимальное напряжение сток-исток)
1200 В
Rds(on)
(сопротивление сток-исток)
2.13 мОм
Тип монтажа
Chassis Mount
Ток стока при 25°C
500 А
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Емкость
(Электрическая ёмкость)
39700 пФ
Полярность
2 N-Channel (Half Bridge)
Заряд затвора
1340 нКл
Размеры
Корпус
Module
Типоразмер
AG-62MM
Упаковка
Количество в упаковке
8
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
536 КБ
SiC Mosfet модуль FF2MR12KM1PHOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF2MR12KM1PHOSA1: CoolSiC™ V dsm: 1200 В; Rds(on): 2.13 мОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF2MR12KM1PHOSA1: CoolSiC™ V dsm: 1200 В; Rds(on): 2.13 мОм.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.