1200-В и 650-В SiC MOSFET в дискретном исполнении компании Infineon

CoolSiC™ MOSFET компании Infineon созданы на основе современного trench-процесса, оптимизированного как для получения минимальных потерь в различных устройствах, так и для достижения высочайшей надёжности при эксплуатации. Линейка 1200-В и 650-В дискретных CoolSiC™ MOSFET представлена выводными и планарными корпусами с сопротивлением канала от 27 до 350 мОм. Часть TO- и SMD-корпусов имеют вывод Кельвина, что позволяет получить лучшие частотные характеристики.

CoolSiC™ MOSFET в дискретных корпусах идеально подходят как для топологий с жёсткой коммутацией, так и для резонансных топологий, таких как ZVS и LLC, и могут управляться как классические кремниевые IGBT и MOSFET, используя стандартные драйверы затвора. Высокая устойчивость к ложному открыванию, способность работать в режиме короткого замыкания, отличная управляемость по затвору делают CoolSiC™ MOSFET оптимальным выбором для промышленных импульсных источников питания, серверного оборудования, солнечной энергетики, зарядных станций для электромобилей и источников бесперебойного питания.

CoolSiC™ MOSFET содержат быстродействующий антипараллельный диод, чей заряд обратного восстановления в 50…100 раз ниже, чем у современных кремниевых MOSFET. Это существенное преимущество позволяет использовать CoolSiC™ MOSFET в топологиях с жёстким переключением без применения дополнительного быстродействующего внешнего диода. CoolSiC™ MOSFET обладают высочайшей стабильностью параметров при изменении температуры, а также высокой теплопроводностью (такой же, как у меди).

Преимущества:

• Низкая паразитная ёмкость устройства
• Устойчивость параметров при изменении температуры
• Паразитный диод с низким уровнем заряда обратного восстановления
• Устойчивость к ложному открыванию
• Высокая надёжность затворного оксида
• Лучшие в классе статические и динамические характеристики
• Управление, как у IGBT (+15…+18 В)
• Пороговый уровень открывания V_th > 4 В
• Работоспособность в режиме короткого замыкания

Результат:

• Высочайшая эффективность позволяет снизить требования к системе охлаждения
• Более длительный срок службы и высокая надёжность
• Более высокая рабочая частота
• Снижение стоимости всей системы
• Увеличение плотности мощности
• Снижение сложности системы
• Простота разработки и внедрения

Линейка 650-В CoolSiC™ MOSFET

Линейка 1200-В CoolSiC™ MOSFET

Подробная информацией о SiC MOSFET Infineon на сайте производителя.