Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Новые 1200 В гальванически развязанные одноканальные ИС Infineon Technologies

ИС семейства EiceDRIVER™ Compact Infineon предназначены для управления MOSFET и IGBT транзисторами и обеспечивают выходной ток до 6 А.

EiceDRIVER™ Compact Infineon

Контроллеры изготавливаются по технологии с использованием трансформаторов без сердечников, что позволяет обеспечить гальваническую развязку в 1200 В и применить данные ИС для управления 600, 650 и 1200 В IGBT , а так же 650 В MOSFET транзисторами семейства  CoolMOS ™.

EiceDRIVER™ Compact доступны в пяти вариантах с отдельными выходами заряда и разряда затвора транзистора, а так же в трех вариантах с различными выходными токами с активным подавлением эффекта Миллера (active Miller clamp) для IGBT . Все ИС представлены в корпусах DSO-8.

Схема управления IGBT (например, TRENCHSTOP 5)

Вариант с отдельными выходами заряда и разряда затвора.

Вариант с одним выходом и с подавлением эффекта Миллера.

1EDI60N12AF предназначена для управления MOSFET транзисторами, обеспечивает выходной ток в 6 А и идеально подходит для построения импульсных источников питания, работающих на частотах до 4 МГц. Использование данной ИС совместно новыми высокоэффективными транзисторами Infineon серии C 7 позволяет значительно улучшить КПД системы. Данный тип контроллера рекомендован для применения в ККМ, серверном оборудовании, Телеком, фотоэлектрических преобразователях, buck/boost преобразователях и компьютерных источниках питания.

1EDI60I12AF, 1EDI40I12AF, 1EDI20I12AF и 1EDI05I12AF предназначены для управления IGBT транзисторами, обеспечивают выходной ток от 0.5 до 6 А. Эти ИС имеют отдельные выходы заряда и разряда затвора.

Дополнительные три варианта 1EDI30I12MF, 1EDI20I12MF и 1EDI10I12MF также управляют IGBT транзисторами, имеют один выход, обеспечивающий ток 1, 2 или 3 А, а также поддерживают функцию ограничения напряжения на затворе (активное подавление эффекта Миллера - active Miller clamp).

Все варианты IGBT драйверов предназначены для применения в сварочном оборудовании, фотоэлектрических преобразователях и источниках бесперебойного питания.

Наименование 1EDI60N12AF 1EDI60I12AF 1EDI40I12AF 1EDI20I12AF 1EDI05I12AF
Корпус DSO-8 DSO-8
Класс напряжения до 1200 В до 1200 В
Выходной ток 6 А/-6 А 6 А/-6 А 4 А/-4 А 2 А/-2 А 0.5 А/-0.5 А
Отдельные контура заряда и разряда затвора ДА ДА
Active Miller clamp НЕТ НЕТ
Тип управляемого транзистора MOSFET IGBT
Макс. частота переключения 4МГц 1МГц
Рекомендуемые транзисторы CoolMOS серий С7 и CP TRENCHSTOP™ 5

 
Наименование 1EDI30I12MF 1EDI20I12MF 1EDI10I12MF
Корпус DSO-8
Класс напряжения до 1200 В
Выходной ток 3 А/- 3 А 2 А/- 2 А 1 А/- 1 А
Отдельные контура заряда и разряда затвора НЕТ
Active Miller clamp ДА
Тип управляемого транзистора IGBT
Макс. частота переключения 1 МГц
Рекомендуемые транзисторы TRENCHSTOP™ 5

 
Начало серийного производства данных одноканальных ИС запланировано на 1-2 квартал 2014 года. Образцы доступны уже сейчас.
Более подробную информацию можно найти здесь.

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru

Электронные компоненты infineon »»

Запросить бесплатные образцы Infineon »»