Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Новый быстрый IGBT Infineon: 75 А, 600 В.

В серийное производство вышел новый быстрый IGBT-транзистор серии H3 на напряжение 600 В в корпусе ТО-247 с номинальным током 75 A.

Новый транзистор, использующий технологию High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology, предназначен для применения в сварочных аппаратах и мощных высокочастотных источниках питания. Существует два варианта транзистора – с обратным диодом IKW75N60H3 и без него IGW75N60H3.

Характеристики:

  • очень низкое напряжение насыщения
  • низкий уровень электромагнитных помех
  • максимально допустимая температура кристалла 175°С
  • очень низкие динамические потери мощности

По поводу заказа образцов просим обращаться в инженерный центр ГК «Симметрон».

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru

Электронные компоненты infineon »»

Запросить бесплатные образцы Infineon »»
 

   ?