Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Высокоэффективные 600-В MOSFET серии С7 компании Infineon Technologies

Благодаря выдающимся динамическим характеристикам 600-В транзисторов серии С7, их применение позволит существенно увеличить рабочую частоту разрабатываемого изделия.

В новой серии 600-В MOSFET C7 на 50% снижены потери при выключении транзистора (EOSS) по сравнению с серией CP (одна из самых высокоэффективных серий Infineon предыдущего поколения). Новые транзисторы предназначены для применения в корректорах коэффициента мощности (ККМ), в прямоходовых двухтранзисторных преобразователях (TTF или «косой мост») и других схемах с жёсткой коммутацией, а также в высокопроизводительных резонансных топологиях.

Благодаря выдающимся динамическим характеристикам 600-В транзисторов серии С7, их применение позволит существенно увеличить рабочую частоту разрабатываемого изделия, что, в свою очередь, даёт возможность уменьшить габариты устройства, а следовательно, его стоимость. Так, к примеру, удвоение рабочей частоты преобразователя позволит снизить затраты на моточные изделия (экономия на меди обмоток до 30% и до 45% на сердечнике (в зависимости от его материала)).

Сравнение габаритов дросселей, применяемых в однотипных преобразователях, работающих на частоте 65 кГц и 120 кГц соответственно
 

600-В MOSFET серии C7

Сопротивление канала, RDS(on) (max) TO-220 TO-247 TO-247 , 4- выводной
180 мОм IPP60R180C7 IPW60R180C7  
99 мОм IPP60R099C7 IPW60R099C7 IPZ60R099C7
40 мОм IPP60R040C7 IPW60R040C7 IPZ60R040C7

Более подробную информацию о новых 600-В транзисторах серии C7 можно найти здесь.

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru

Электронные компоненты infineon »»

Запросить бесплатные образцы Infineon »»