Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Многозатворные Multigate FINFET от Infineon

В конце 2006 года компания Infineon представила широкой общественности первые образцы FET-транзисторов, выполненных по многозатворной трехмерной технологии. В результате длительной научной и исследовательской работы был сделан принципиально новый шаг в полупроводниковой технике. Как известно, последние 50 лет все полевые транзисторы выполнялись по планарной технологии с одним затвором. И в последнее время исследования и новые разработки шли лишь по пути совершенствования структуры плоских кристаллов, их материалов, точности, размещения, оптимизации крепления и теплоотвода, миниатюризации и т.д., но ничего принципиально нового со времен изобретения первого МОП-транзистора придумано не было. Однако сегодня специалистам Infineon удалось собрать воедино многие задачи, долго остававшиеся нерешенными, и создать кристалл с более высокой эффективностью, меньшими размерами и значительно лучшими параметрами, чем самые передовые современные приборы аналогичной мощности.

Кристаллы многозатворых транзисторов выполнены по 65нм технологии, в качестве демонстрации их возможностей был создан интегральный прибор, состоящий из 3000 активных многозатворных трехмерных транзисторов.

Испытания показали, что при тех же номинальных токах площадь кристалла примерно на 30% меньше. Благодаря тому, что площадь контакта затвора с каналом в 3 раза больше, токи утечки снижены как минимум в 10 раз, то есть транзистор действительно «выключен». Все это в комплексе дало великолепный результат – потери мощности в ключе снизились более чем в 2 раза по сравнению с современными аналогами. По расчетам специалистов, это позволит продлить работу прибора на основе Infineon Multigate FINFET от аккумулятора минимум вдвое. И это еще не предел. Уже начата работа по реализацию новой технологии на 32нм уровне, что должно значительно улучшить полученные показатели. Кроме того, новая технология является экономически выгодной, так как позволяет сократить затраты кремния и дорогостоящих материалов, уменьшает размеры конечного устройства и увеличивает его эффективность.

Многозатворная технология Infineon открывает новые горизонты в мультимедиа, мобильной телефонии, срерхминиатюрных фото- и видеокамерах, создании ультратонких MP3 плееров с огромным временем автономной работы.

Специалисты Infineon уже заявили о готовности через 5-6 лет перейти от первых опытных образцов к серийному производству Multigate FINFET.

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru

Электронные компоненты infineon »»

Запросить бесплатные образцы Infineon »»
 

   ?