Новый корпус предназначен для использования в приложениях большой мощности, обладающих большой степенью надежности, таких как вилочные погрузчики, электромобили, электронные предохранители (E - fuses), DC / DC преобразователях (Point of Load) и телеком. Выдающиеся нагрузочные характеристики (до 300 А) идеально подходят для данных приложений.
Кроме того, корпуса TO - leadless позволяют значительно оптимизировать место на печатной плате. Посадочное место для TO - leadless на 30% меньше, чем у 7-выводного D2PAK корпуса, и на 50% тоньше, что суммарно позволяет снизить занимаемый корпусом объем на 60%.
Новые MOSFET транзисторы семейства OptiMOS, выпущенные в корпусе TO - leadless , обладают очень низким уровнем Rds(on) – лучшим на данный момент в этой области. Для 30 В транзисторов Rds(on) составляет 0.4 мОм, для 60 В MOSFET — 0.75 мОм.
Корпус | Тип | Vds, В | Rds(on)max, мОм | ID, А |
![]() |
IPT004N03L | 30 | 0.4 | 300 |
IPT007N06N | 60 | 0.7 | 300 | |
IPT020N10N3 | 100 | 2 | 300 | |
IPT059N15N3 | 150 | 5.9 | 155 |
Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru
Электронные компоненты infineon »»
Запросить бесплатные образцы Infineon »»