Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Новые 650 В IGBT транзисторы Infineon Technologies, изготовленные по технологии TRENCHSTOP™5

TRENCHSTOP ™5 – это новая технология изготовления ультратонких подложек

IGBT транзисторы Infineon по технологии TRENCHSTOP™5

Толщина подложек снижена на 25% по сравнению с предыдущими технологиями, что привело к значительному снижению потерь на проводимость и переключение у IGBT транзисторов на их основе.
Новые продукты оптимизированы для ККМ и ШИМ топологий и рекомендованы для применения в таких приложениях, как фотоэлектрические преобразователи, источники бесперебойного питания, сварочные аппараты.

Транзисторы, изготовленные по новой технологии, доступны в двух вариантах:

  • Серия HighSpeed 5 (H5) – позволяет легко заменить предыдущие IGBT транзисторы семейства HighSpeed 3.
  • Серия HighSpeed 5 FAST (F5) – обеспечивает дополнительное снижение потерь и позволяет добиться эффективности системы свыше 98%.


Сравнение 40 А IGBT семейства HighSpeed 3 и TRENCHSTOP™5
Rg =15 Ом 40A HS3 40A H5 (New!) 40A F5 (New!)
UCE(sat), В 1.95 1.7 1.7
UCE(MAX), В 600 650 650
QG, нКл 223 84 90
EON, мДж 0.61 0.27 0.29
EOFF, мДж 0.29 0.16 0.13

 

  IGBT по технологии TRENCHSTOP™5 – первая волна

Ток коллектора при T C = 100°C
TO-220 TO-220 FullPAK TO-247

Single IGBT
40 IGP40N65F5 / H5   IGW40N65F5 / H5
50     IGW50N65F5 / H5
DuoPack 8 IKP08N65F5 / H5 IKA08N65F5 / H5  
15 IKP15N65F5 / H5 IKA15N65F5 / H5  
40 IKP40N65F5 / H5   IKW40N65F5 / H5
50     IKW50N65F5 / H5

 
Параметры

  • UCE = 650 В
  • На 200 мВ снижено напряжение насыщения U CE(sat) в сравнении с HighSpeed 3
  • Снижены потери при коммутации и заряд затвора Qg
  • Низкое соотношение COSS /EOSS
  • Температурная стабильность VF

 
Применение

  • Сварочное оборудование
  • Источники бесперебойного питания
  • Корректоры коэффициента мощности
  • Фотоэлектрические преобразователи

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru

Электронные компоненты infineon »»

Запросить бесплатные образцы Infineon »»