Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

SiC диоды Шоттки на 1200 В

Компания Infineon начала производство диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC) с номинальным напряжением 1200 В. С момента появления технологии SiC-диодов интерес к ней не угасает. Карбид кремния обладает намного более высоким пробивным напряжением по сравнению с традиционно используемым кремнием, что позволяет создавать более компактные приборы с одновременным улучшением их параметров.

Сегодня стали доступны диоды SiC от Infineon на 5 А и 7.5 А и номинальное напряжение 1200 В в виде пластин для установки в силовые модули.

Основные особенности:

  • Высокая скорость переключения, не зависящая от номинального тока, скорости его нарастания (dI/dt) и температуры
  • Положительный температурный коэффициент, позволяющий легко включать приборы в параллель
  • Отсутствие процессов прямого и обратного восстановления в результате максимального снижения паразитной емкости

Области применения:

  • Импульсные источники питания
  • Высоковольтные корректоры коэффициента мощности (ККМ) с режимом непрерывного тока
  • Источники бесперебойного питания (ИБП) и преобразователи для солнечных батарей
  • Промышленный электропривод
  • Высоковольтные умножители напряжения

Обзор линейки:

Упаковка Тип Vrrm[V] IF[A] IF,SM[A] typ. Q [nC]
Chip IDC05S120 1.200 5 29 18
IDC08S120 1.200 7.5 39 27

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru

Электронные компоненты infineon »»

Запросить бесплатные образцы Infineon »»
 

   ?