Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Новые 300-В MOSFET с быстродействующим диодом семейства OptiMOS от компании Infineon Technologies

Новые 300-В транзисторы с быстродействующим диодом оптимизированы для приложений с жёсткой коммутацией, таких как бесперебойные источники питания (ИБП), телекоммуникационные системы, промышленные импульсные источники питания, DC/AC-инверторы и блоки управления двигателями.

Новые транзисторы не только обладают отличным сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) и показателем качества (FOM), но и обеспечивают высокую надёжность системы благодаря низкому заряду обратного восстановления (Qrr).

Использование 300-В MOSFET в корпусе D2PAK с сопротивлением канала 40.7 мОм значительно снижает потери на проводимость и повышает общую эффективность систем в приложениях с большими токами, таких как блоки управления двигателями. Кроме того, обладая отличными динамическими характеристиками, новые транзисторы позволяют обеспечить высокую рабочую частоту в импульсных источниках питания, например в 60-В синхронных выпрямителях в телекоммуникационных системах.

Типовая схема синхронного выпрямления

Типовая схема синхронного выпрямления

300-В MOSFET семейства OptiMOS

Корпус D2PAK TO-220
Наименование IPB407N30N IPP410N30N
Сопротивление канала, RDS(on) (max) 40.7 мОм 41 мОм

Более подробная информация здесь.


 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru

Электронные компоненты infineon »»

Запросить бесплатные образцы Infineon »»