Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Эталон эффективности и надёжности — семейство 1200-В IGBT 8-го поколения для промышленных приложений

1200-В IGBT 8-го поколения разработаны компанией IR с использованием новейшей технологии Trench gate Field Stop.

Транзисторы выпускаются в стандартных корпусах TO-247 и обладают лучшими в своём классе рабочими характеристиками для промышленных и энергосберегающих устройств.

Особенности

 
  • Низкое значение VCE(ON) 
  • Защита от короткого замыкания, 10 мкс
  • VCE(ON) увеличивается с ростом температуры
  • Прямоугольная область безопасной работы при выключении (Reverse Bias Safe Operation Area — RBSOA) и высокие уровни предельных токов
  • Не содержат свинца, соответствуют директиве RoHS

Преимущества

  • Приборы нового 8-го поколения (Gen8) рассчитаны на номинальные токи от 8 до 60 А при VVCE(ON) = 1.7 В (тип.), что позволяет снизить рассеиваемую мощность и повысить плотность мощности.
  • Разработка новой технологии и современной кремниевой IGBT-платформы — это плод десятилетий работы компании International Rectifier в области развития технологий силовой электроники. Цель — добиться, чтобы практически все электродвигатели управлялись с помощью инверторов; это позволит использовать электроэнергию более эффективно и будет способствовать улучшению экологии.

Технические характеристики

Наименование Корпус BV
[В]
I(ном)
[A]
VCE(ON)
[В]
Tsc
[мкс]
IRG8P08N120KD TO-247 1200 8 1.7 10
IRG8P15N120KD TO-247 1200 15 1.7 10
IRG8P25N120KD TO-247 1200 25 1.7 10
IRG8P40N120KD TO-247 1200 40 1.7 10
IRG8P50N120KD TO-247 1200 50 1.7 10
IRG8P60N120KD TO-247 1200 60 1.7 10
 

   

 

Техническая поддержка: IR@symmetron.ru  

Электронные компоненты International Rectifier »»

Запросить бесплатные образцы International Rectifier »»