Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

40-В транзисторы COOLiRFET™ компании IR в корпусе Dual PQFN (5×6 мм) для автомобильных электроприводов малой мощности

Компания International Rectifier, мировой лидер в технологии управления питанием, объявила о выпуске транзисторов AUIRFN8459 и AUIRFN8458 — 40-В силовых MOSFET серии COOLiREFT™, соответствующих автомобильному стандарту.

Превосходные значения сопротивления в открытом состоянии (RDS (On)) позволяют использовать эти транзисторы для таких приложений, как управление двигателем насоса/помпы и управление кузовной электроникой, где основными требованиями являются компактность и высокий рабочий ток.

AUIRFN8459 и AUIRFN8458 — первые приборы из семейства предназначенных для автомобильной электроники силовых MOSFET в корпусе Dual PQFN размером 5Ч6 мм. Приборы выполнены на основе самой передовой 40-В trench-технологии COOLiRFET™ компании IR. Транзистор AUIRFN8459 имеет чрезвычайно низкое значение RDS (On), составляющее 5.9 мОм на канал, и высокую нагрузочную способность по току — 50 А.

«40-В транзисторы AUIRFN8459 и AUIRFN8458 серии COOLiRFET™ в корпусе Dual PQFN (5Ч6 мм) позволяют более чем в два раза сократить занимаемое пространство по сравнению с аналогичными приборами в корпусе DPAK (TO-252). Корпус Dual PQFN характеризуется чрезвычайно малым сопротивлением и индуктивностью, что с учётом сверхнизких значений RDS (On) делает эти транзисторы весьма привлекательным выбором для традиционных 12-В автомобильных устройств, таких как электроприводы, от которых требуются более высокие значения эффективности и плотности мощности при меньших габаритах», — говорит Джифинг Оин (Jifeng Qin), менеджер по продукции, занимающийся автомобильными MOSFET, подразделение компании IR по продукции для автомобильной электроники. Кроме того, новый корпус Dual PQFN COOLiRFET™ размерами 5×6 мм обеспечивает низкое тепловое сопротивление между прибором и печатной платой и обладает значительно лучшими теплофизическими характеристиками по сравнению с корпусом SO-8, что позволяет добиться более высокой эффективности и плотности мощности и снизить себестоимость на системном уровне.

MOSFET компании IR, предназначенные для автомобильной электроники, подвергаются усреднённым динамическим и статическим испытаниям наряду со 100-процентной автоматизированной визуальной проверкой подложек, что является частью инициативы компании IR по обеспечению качества продукции, направленной на обеспечение нулевого уровня брака. В соответствие с требованиями AEC-Q101 изменение сопротивления RDS (On) после 1000 температурных циклов испытаний на теплоустойчивость не должно превышать 20%.

Новые приборы сертифицированы на соответствие стандартам AEC-Q101, экологически безопасны, не содержат свинца и отвечают требованиям директивы RoHS.

Технические характеристики транзисторов AUIRFN8459 и AUIRFN8458

Наименование Корпус Напряжение V(BR) DSS [В] Сопротивление RDS(ON) MAX
при VGS = 10 В [мОм]
Ток ID MAX
при TC = 25° C [А]
Заряд QG TYP
при VGS = 10 В [нКл]
AUIRFN 8459 TR 5×6 Dual PQFN 40 5.9 50 40
AUIRFN 8458 TR 5×6 Dual PQFN 40 10 43 22
 

 

Техническая поддержка: IR@symmetron.ru  

Электронные компоненты International Rectifier »»

Запросить бесплатные образцы International Rectifier »»