Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

IR представляет революционную технологию на основе GaN

Патентованная GaN-on-silicon эпитаксиальная (послойная) технология — это предвестник новой эры силовых преобразовательных устройств.

Корпорация International Rectifier анонсировала успешную разработку революционной технологии на основе нитрида галлия (GaN), ориентированной на силовые платформы, которая обеспечивает увеличение добротности (FOR) в ключевых специфических применениях по сравнению с современной технологией на основе кремния. Это значительно повысит производительность и снизит энергопотребление в различных сегментах рынка, таких как компьютеры, связь и автомобильная электроника.

Прототипы новых устройств на основе новой GaN технологии будут доступны для клиентов на выставке Electronica, которая пройдет в Мюнхене 11-14 ноября 2008 г.  

 

Техническая поддержка: IR@symmetron.ru  

Электронные компоненты International Rectifier »»

Запросить бесплатные образцы International Rectifier »»  

   ?