Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Транзисторы StrongIRFET™ в корпусе Medium Can DirectFET®

Новое расположение контактной площадки затвора

Компания international Rectifier начала выпуск нового семейства StrongIRFET™ компактных MOSFET в корпусе Medium Can DirectFET®. Они предназначены для использования в схемах с батарейным питанием, приводах щёточных и бесщёточных электродвигателей постоянного тока, применяемых в различных устройствах, где требуется высокая эффективность преобразования энергии, таких как ручной электроинструмент, легковые электромобили и велосипеды с электроприводом. Новая конфигурация выводов позволила увеличить контактную площадь истока, что привело к уменьшению теплового сопротивления между кристаллом и печатной платой и улучшению масштабируемости конструкции.

Преимущества

  • Чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(on)
  • Высокие рабочие токи
  • Улучшенные характеристики затвора, способность выдерживать лавинный пробой и высокая стойкость к динамическим броскам dv/dt
  • Низкое тепловое сопротивление между кристаллом и печатной платой
  • Высокая плотность тока
  • Масштабируемость конструкции
  • Соответствие требованиям директивы RoHS 6

MN Footprint ME Footprint
Посадочное место MN Посадочное место ME
RTHJ-PCB = 0.75°C/Вт

MOSFET семейства StrongIRFET™

Наименование Корпус Конфигурация выводов VDS [В] RDS(ON) (тип./макс.) при 10 В [мОм] ID [А] QG [нКл]
IRF7480MTRPBF Medium Can DirectFET™ ME 40 0.9/1.2 217 123
IRF7483MTRPBF Medium Can DirectFET™ ME 40 1.7/2.3 135 81
IRF60DM206 Medium Can DirectFET™ ME 60 2.2/2.9 130 133
IRF7580MTRPBF Medium Can DirectFET™ ME 60 2.9/3.6 114 120
IRF7780MTRPBF Medium Can DirectFET™ ME 75 4.5/5.7 89 124
 

 

Техническая поддержка: IR@symmetron.ru  

Электронные компоненты International Rectifier »»

Запросить бесплатные образцы International Rectifier »»