Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Новое семейство 25 В и 30 В  HEXFET® MOSFET в корпусе PQFN 3×3 мм

International Rectifier, мировой лидер в технологии управления питанием, представляет семейство 25 В и 30 В устройств, выполненных по кремниевой технологии HEXFET® MOSFET в корпусе PQFN 3×3, что обеспечивает сокращение площади печатного узла.

Использование корпуса PQFN 3×3 является надежным и эффективным решением для DC-DC преобразователей в сфере телекоммуникаций, Netcom, компьютеров, ноутбуков.

Производительность транзисторов в корпусе PQFN 3×3 мм выше на 60 процентов, значительно уменьшается сопротивление открытого канала (RDS (ON)). В дополнение к низкому RDS (ON), новый корпус PQFN предлагает улучшенную теплопроводность, а также повышенную надежность и соответствует уровню чувствительности к влаге 1 (MSL1).

Наименование Тип корпуса Напряжение пробоя сток-исток, В Максимальное напряжение VGS, В Сопротивление открытого канала
(RDS (ON)) при 10 В, мОм
Сопротивление открытого канала
(RDS (ON)) при 10 В, мОм
Суммарный заряд затвора при 4,5 В, нКл
типичное максимальное типичное максимальное
IRFHM831 PQFN 3x3 30 ±20 6.6 7.8 10.7 12.6 7.3
IRFHM830D PQFN 3x3 30 ±20 3.4 4.3 5.7 7.1 13
IRFHM830 PQFN 3x3 30 ±20 3.0 3.8 4.8 6.0 15
IRFH5303 PQFN 5x6 30 ±20 3.6 4.2 5.7 6.8 15
IRFH5304 PQFN 5x6 30 ±20 3.8 4.5 5.8 6.8 16
IRFH5306 PQFN 5x6 30 ±20 6.9 8.1 11.0 13.3 7.8
IRFH5255 PQFN 5x6 25 ±20 5.0 6.0 8.8 10.9 7.0
IRFH5250D PQFN 5x6 25 ±20 1.0 1.4 1.7 2.2 39
 

 

Техническая поддержка: IR@symmetron.ru  

Электронные компоненты International Rectifier »»

Запросить бесплатные образцы International Rectifier »»  

   ?