Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Полевые транзисторы trench HEXFET® с высоким уровнем постоянного тока стока и низким RDS(on).

International Rectifier, мировой лидер в технологии управления питанием, представляет новые N – канальные полевые транзисторы в диапазоне напряжений от 60 В до 200 В, изготовленные по технологии trench HEXFET® Power MOSFETs.

Они характеризуются высоким постоянным током стока и предназначены для промышленных батарей, блоков питания, мощных двигателей постоянного тока, электроинструмента.

Новые транзисторы обеспечивают уровень постоянного тока стока до 195 А, обладают низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и в корпусах TO-220, D2PAK и TO-26. В корпусе 7-pin D2PAK уровень тока стока составляет 240 А, что делает транзистор одним из наиболее надежных приборов данного класса. Устройства выполнены по бессвинцовой технологии и соответствуют директиве RoHS.

Part
Number

Channel
Type

Bvdss
(V)

RDS(on)
(mOhms)

Id @ 25 C
(A)
Qg
(nC)
Package

IRFB3006PBF
N 60 2.5 195* 200 TO-220

IRFS3006PBF
N 60 2.5 195* 200 D2PAK

IRFS3006-7PPBF
N 60 2.1 240* 200 D2PAK-7

IRFS3107PBF
N 75 3.0 195* 160 D2PAK

IRFS3107-7PPBF
N 75 2.6 240* 160 D2PAK-7

IRFS4010PBF
N 100 4.7 180 143 D2PAK

IRFS4010-7PPBF
N 100 4.0 190 150 D2PAK-7

IRFB4115PBF
N 150 11 104 77 TO-220

IRFS4115PBF
N 150 12.1 99 77 D2PAK

IRFS4115-7PPBF
N 150 11.8 105 73 D2PAK-7

IRFB4127PBF
N 200 20 76 100 TO-220

IRFS4127PBF
N 200 22 72 100 D2PAK

* Ток ограничен корпусом

 

 

Техническая поддержка: IR@symmetron.ru  

Электронные компоненты International Rectifier »»

Запросить бесплатные образцы International Rectifier »»  

   ?