Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Vishay Intertechnology анонсировала 11 новых 500-В MOSFET, выполненных по технологии Super Junction второго поколения

Новые приборы столь же эффективны и характеризуются такой же высокой плотностью мощности, что и 600-В и 650-В MOSFET серии E

Компания Vishay Intertechnology объявила о выпуске 11 новых транзисторов, пополнивших её семейство 500-В MOSFET, оптимизированных для работы в импульсных источниках питания (SMPS) мощностью до 500 Вт. Также как выпускаемые компанией 600-В и 650-В приборы серии E, новые MOSFET Vishay Siliconix характеризуются чрезвычайно низкими потерями на проводимость и переключение. Они были разработаны, чтобы помочь заказчикам добиться соответствия их продукции более высоким стандартам по рабочим характеристикам и эффективности, таким как стандарты эффективности 80 PLUS, которым в обязательном порядке должны соответствовать некоторые высококачественные бытовые приборы, осветительные устройства и импульсные источники питания офисных АТС и персональных компьютеров.

Изготавливаемые с использованием технологии Super Junction второго поколения, нынешние 500-В MOSFET — это высокоэффективные приборы, дополняющие уже выпускаемую компанией Vishay линейку 500-В транзисторов серии D на базе стандартной планарной технологии. Приборы, рассчитанные на токи от 12 до 20 А, характеризуются низким — от 190 до 380 мОм — сопротивлением в открытом состоянии и сверхнизкой величиной заряда затвора — от 22 до 45 нКл. Такое сочетание параметров ведёт к улучшению показателей качества (Figure Of Merit — FOM) силовых преобразователей.

Малое сопротивление транзисторов в открытом состоянии также способствует увеличению плотности мощности, тогда как высокая скорость переключений позволяет повысить эффективность устройств, выполненных по топологии с жёсткой коммутацией, таких как корректоры коэффициента мощности (PFC), двухтранзисторные прямоходовые и обратноходовые преобразователи.

Транзисторы соответствуют директиве RoHS и способны выдерживать импульсы высокой энергии в режиме лавинного пробоя и в режиме коммутации в гарантированных пределах, что обеспечивается 100-процентным UIS-тестированием.

Технические характеристики новых 500-В MOSFET, выполненных по технологии Super Junction

Наименование ID при 25°C [А] RDS ( on) (макс.) при 10 В [мОм] QG (тип.) при 10   В [нКл] Корпус
SiHD12N50E 12 380 22 TO-252
SiHP12N50E 12 380 22 TO-220
SiHB12N50E 12 380 22 TO-263
SiHA12N50E 12 380 22 Thin lead TO-220 FULLPACK
SiHP15N50E 15 280 30 TO-220
SiHB15N50E 15 280 30 TO-263
SiHA15N50E 15 280 30 Thin lead TO-220 FULLPACK
SiHG20N50E 20 190 45 TO-247AC
SiHP20N50E 20 190 45 TO-220
SiHB20N50E 20 190 45 TO-263
SiHA20N50E 20 190 45 Thin lead TO-220 FULLPACK
 

 

Техническая поддержка: IR@symmetron.ru  

Электронные компоненты International Rectifier »»

Запросить бесплатные образцы International Rectifier »»