Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Силовой модуль на карбиде кремния компании Rohm Semiconductor

Силовой модуль BSM120D12P2C005 на основе карбида кремния является идеальной заменой для кремниевых IGBT модулей 200-400 А класса и превосходит их по ряду параметров:

BSM120D12P2C005 Rohm

  • Сокращение потерь на коммутацию на 85%
  • Сокращение занимаемого объема на 50% по сравнению с аналогичными IGBT модулями класса 200-400 А
  • Уменьшение потерь на тепловыделение и упрощение системы охлаждения
  • Уменьшение габаритов готового изделия
  • Возможность ШИМа с частотой более 100КГц

Электрическая схема модуля

Электрическая схема модуля BSM120D12P2C005

Основные характеристики модуля

  • Напряжение сток-исток 1200 В
  • Напряжение затвор-исток от -6 до 22 В
  • Продолжительный ток истока 120 А при t=60°C
  • Импульсный ток 240 А при t=60°C, 1 мсек
  • Допустимая температура полупроводника от -40°С до 150°С

 

Техническая поддержка: rohm@symmetron.ru  

Электронные компоненты Rohm »»