Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

SiC-MOSFET серии SCT 2, SCH 2, SCT 3

Низкие потери при переключениях и малые сопротивления в открытом состоянии способствуют энергосбережению

2-е поколение SiC - MOSFET

  • Высокая скорость переключений
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии (мало зависящее от температуры)
  • Встроенный диод с малыми значениями Qrr и trr
  • Значительно (до 73%) меньшие потери (в сравнении с Si- IGBT при работе на частоте 30 кГц)
  • Исключена деградация из-за паразитной проводимости диода
  • Возможность работы при высоких температурах: Tj (макс) = +175°C
Структурная схема

Надписи на рисунке:

Metal – Металл
Poly-Si – Поликристаллический кремний
SiC n-Drift Layer – Дрейфовый n-слой SiC
SiC Planar MOS – Планарный SiC MOS-транзистор

Потери при переключениях значительно снижены

Надписи на рисунке:

Comparison of loss – Сравнение потерь
When operating at 30 kHz – При работе на 30 кГц
Loss (W) – Потери (Вт)
Turn-ON switching loss – Потери при включении
Turn-OFF switching loss – Потери при выключении
Conduction loss – Потери на проводимость
Compared to IGBTs loss reduced by 73% – По сравнению с IGBT потери снижены на 73%
 
Номенклатура

Наименование BVDSS RDS(on) ID(макс.) Модели, сертифицированные для использования на транспорте (AEC-Q101*2) Корпус
[В] [мОм] [А]
* SCT2750NY 1700 750 6 TL-268-2L
* SCT2H12NY 1700 1150 4
SCT2H12NZ 1700 1150 3.7 TO-3PFM
SCT2080KEC 1200 80 40 TO-247
* SCT2080KEAHR 1200 80 40 Есть
SCH2080KEC*1 1200 80 40
SCT2160KEC 1200 160 22
* SCT2160KEAHR 1200 160 22 Есть
SCT2280KEC 1200 280 14
* SCT2280KEAHR 1200 280 14 Есть
SCT2450KEC 1200 450 10
* SCT2450KEAHR 1200 450 10 Есть
SCT2120AFC 650 120 29 TO220AB

*1 SiC - SBD в одном корпусе.
*2 AEQ-101 rev.D .

* 3-е поколение SiC Trench MOSFET

Особенности

  • Низкое сопротивление в открытом состоянии позволяет повысить плотность мощности преобразователей
  • Высокая скорость переключений
  • Быстрое обратное восстановление паразитного диода
  • Исключена деградация из-за паразитной проводимости диода
  • Малый заряд затвора Qg и низкая паразитная ёмкость
  • Возможность работы при высоких температурах: Tj (макс) = +175°C
 
Структурная схема

Надписи на рисунке

Metal – Металл
Poly-Si – Поликристаллический кремний
Gate trench – Канавка затвора
Source trench – Канавка истока
SiC n-Drift Layer – Дрейфовый n-слой SiC
SiC sub – Подложка SiC
SiC-Trench MOS –  SiC-Trench MOS-транзистор

Достигается дальнейшее снижение потерь в открытом состоянии

Надписи на рисунке:

Trade-off curve between RDS(on) and Ciss – Зависимость между RDS( on)и Ciss для выбора компромиссных значений
At same chip area Ciss 35%, Ron 50% - При той же площади кристаллаCiss ниже на 35%,Ron —на 50%
At same Ron Ciss 70% - При том же Ron, Ciss ниже на 70%
Ciss (pF) – Ciss (пФ)
RDS(on) @ 25 ° C (mΩ) –RDS( on)при 25° C (мОм)

Номенклатура

Наименование BVDSS RDS(on) ID(макс.) Корпус
[В] [мОм] [А]
* SCT3022KL 1200 22 95   TO-247N
* SCT3030KL 1200 30 72
* SCT3040KL 1200 40 55
* SCT303AL 650 30 70

* — В разработке.

 

Техническая поддержка: rohm@symmetron.ru  

Электронные компоненты Rohm »»