Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Новые 500 В кремниевые N-канальные MOSFET c низким сопротивлением открытого канала

Vishay Intertechnology, Inc представляет три новых 500-В N-канальных мощных полевых транзистора с ультранизким максимумом сопротивления открытого канала RDS(On) и улучшенным зарядом затвора Qg в корпусе TO-220, TO-220 FULLPAK и D2PAK (TO-263).

Новые N-канальные транзисторы изготавливаются с использованием Planar Cell технологии Vishay, которая позволяет снизить сопротивление открытого канала транзистора и создать транзисторы, способные выдерживать высокие импульсы энергии в лавинном режиме.

По сравнению с предыдущим поколением транзисторов, SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3 и SiHB12N50C-E3 предлагают усовершенствованные скоростные характеристики и сниженные потери на переключение.

Основные характеристики:

  • Напряжение сток-исток 500 В;
  • Низкий уровень сопротивление открытого канала 0,555 Ом (максимум) при 10 В, снижает потери на проводимость и экономит энергию;
  • Улучшенный заряд затвора 48 нКл;
  • Предлагается в корпусе TO-220, TO-220 FULLPAK и D2PAK;
  • Соответствует директиве RoHS 2002/95/EC;

Применение:

  • Корректор коэффициента мощности (PFC);
  • Схемы с широтно-импульсной модуляцией (PWM) полумостов;
  • LLC топологии в ноутбуках, компьютерах, адаптерах, PC и LCD телевизорах, а также источниках питания.

 

Техническая поддержка: Vishay@symmetron.ru

Электронные компоненты Vishay »»

 

   ?