Ассортимент, наличие и цены, поставщики
Заказать через Интернет
Паяльное и антистатическое оборудование, инструмент
Краткая история
Статьи и обзоры
Офисы, филиалы, представительства, магазины
Электронная почта
На первую страницу
Поиск: справка
 

Фирменный магазин

Микроника - радиодетали и инструменты

Весь ассортимент компании "Симметрон электронные компоненты" вы можете приобрести в розницу в фирменном магазине "Микроника".


 

Технологии Trench PT и FS IGBT — высокая эффективность за счёт снижения потерь на проводимость и переключение.

600-В и 650-В IGBT с низким VCE(ON)и «мягкими» и быстрыми переключениями для электродвигателей, источников бесперебойного питания, а также инверторов для солнечных панелей и сварочных аппаратов.

Компания Vishay Intertechnology представила свою новую платформу Trench IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) на базе технологий Punch Through (PT) и Field Stop (FS). Разработанные с целью увеличения эффективности электродвигателей, источников бесперебойного питания (ИБП), преобразователей для солнечных панелей и сварочных аппаратов, приборы компании Vishay Semiconductors, поставляемые в виде кристаллов, обладают низкими напряжениями коллектор—эмиттер, включаются и выключаются «мягко» и с высокой скоростью, обеспечивая низкий уровень потерь на проводимость и переключение. В то же время для повышения надёжности напряжение пробоя у некоторых из этих транзисторов увеличено до 650 В.
 
На сегодняшний день выпускаются IGBT-чипы Trench PT и Trench FS, которые поставляются как в виде отдельных кристаллов, так и в виде неразрезанных пластин. Производятся кристаллы разных размеров, рассчитанные на токи от 30 до 240 А и напряжения пробоя от 600 до 650 В.
 
Потери на проводимость в транзисторах Trench PT чрезвычайно малы. Эти приборы отличаются низким напряжением коллектор—эмиттер с отрицательным температурным коэффициентом: 1.07 В при токе, составляющем 50% от максимально допустимого, и 1.34 В при максимальном токе и температуре +125°C. Благодаря своей конструкции, Trench IGBT меньше по размерам, чем планарные приборы, обладают более низким тепловым сопротивлением и работают при более высоких плотностях тока без ухудшения характеристик и снижения надёжности. Trench PT IGBT оптимизированы для работы на частотах до 1 кГц.
 
Низкие потери на проводимость приборов Trench FS обусловлены тем, что при максимальном токе и температуре 25°C напряжение насыщения коллектор—эмиттер составляет всего 1.45 В. При этом, поскольку данные транзисторы переключаются быстро и «мягко», обеспечивается низкий уровень потерь при их включении и выключении и снижается энергопотребление. К тому же «мягкое» выключение снижает бросок напряжения на приборе, позволяет использовать более простые топологические решения и работать в более широком диапазоне мощностей. Способность FS IGBT работать при температурах до +175°C и выдерживать при высокой температуре (+150°C) короткое замыкание в течение 6 мкс обеспечивает их высокую отказоустойчивость и надёжность при избыточной нагрузке и в аварийных условиях. Данные приборы допускают параллельное включение, так как благодаря положительному температурному коэффициенту их напряжение насыщения увеличивается с ростом температуры.

Технические характеристики

Наименование VCE [В] IC [A] VCE(ON)/
VCEsat [В]
Технология Размер кристалла [мм] Тип кристалла
VS-GC200A060LC 600 200 1.34 Trench PT 12.6 × 10.3 разрезан
VS-GC200A060LB 600 200 1.34 Trench PT 12.6 × 10.3 не разрезан
VS-GC030C060TC 600 30 1.45 Trench FS 3.5 × 4.3 разрезан
VS-GC030C060TB 600 30 1.45 Trench FS 3.5 × 4.3 не разрезан
VS-GC030C065TC 650 30 1.50 Trench FS 3.5 × 4.3 разрезан
VS-GC030C065TB 650 30 1.50 Trench FS 3.5 × 4.3 не разрезан
VS-GC200C060TC 600 200 1.45 Trench FS 10.3 × 9.8 разрезан
VS-GC200C060TB 600 200 1.45 Trench FS 10.3 × 9.8 не разрезан
VS-GC200C065TC 650 200 1.50 Trench FS 10.3 × 9.8 разрезан
VS-GC200C065TB 650 200 1.50 Trench FS 10.3 × 9.8 не разрезан
VS-GC240C060TC 600 240 1.45 Trench FS 12.6 × 10.3 разрезан
VS-GC240C060TB 600 240 1.45 Trench FS 12.6 × 10.3 не разрезан
VS-GC240C065TC 650 240 1.50 Trench FS 12.6 × 10.3 разрезан
VS-GC240C065TB 650 240 1.50 Trench FS 12.6 × 10.3 не разрезан

 
Транзисторы оптимизированы для применения в силовых модулях и могут использоваться вместе с новыми, обладающими «мягкой» характеристикой обратного восстановления сверхбыстродействующими диодами FRED Pt® Gen 4 компании Vishay. Максимальная рабочая температура таких модулей +175°C. Они надёжны, взаимозаменяемы, а диоды обеспечивают исключительно низкий уровень генерируемых электромагнитных помех при работе модулей в составе одно- и трёхфазных инверторов, корректоров коэффициента мощности, мостовых и полумостовых DC/DC-преобразователей.

Идеальное соответствие − Trench GBT плюс диод FRED Pt® Gen4

IGBT Диод FRED Pt® Gen4 Быстро­действие BVCES [В] IC [A] VF (тип .) [В] Размер кристалла [мм] Применение
VS-GC030C060TB VS-4FD156U06A6BC U 600 30 1.4 3.96 × 2.59 Электродвигатели
VS-4FD156H06A6BC H 600 30 1.65 3.96 × 2.59 ИБП
VS-GC200C060TB VS-4FD378U06A6BC U 600 200 1.45 9.6 × 6.04 Электродвигатели
VS-4FD378H06A6BC H 600 200 1.6 9.6 × 6.04 ИБП

 
Образцы IGBT и обратных диодов, приведённых выше, уже можно заказывать для оценки и тестирования.

 

Техническая поддержка: Vishay@symmetron.ru

Электронные компоненты Vishay »»
Подробнее о компании Vishay »»

 

Написать вебмастеру 1/11(+4)/1(0)/1420//1027 1998-2017 СИММЕТРОН


English
 


Обновлен раздел International Rectifier

Приглашаем в новый раздел Электронные компоненты Silergy


В раздел TTAF добавлен каталог продукции TTAF

Приглашаем в новый раздел Индикаторы и дисплеи Powertip


Электронный каталог Hirose: теперь на русском языке!



Обновлена страница "клеммные колодки"

Обновлена страница "цифровые мультиметры Pro'sKit"



Русскоязычная бро­шю­ра "Перспективная про­дук­ция Mu­ra­ta"