Комплексные поставки электронных компонентов
Новости производителей

Выполненные по технологиям PT (Punch Through) и FS (Field Stop) бескорпусные Trench IGBT

Новые Trench PT и FS IGBT оптимизированы для использования в силовых модулях совместно с новыми сверхбыстродействующими диодами FRED Pt четвёртого поколения.

Trench PT и FS IGBT на токи от 30 до 240 А и напряжения от 600 до 650 В
Trench PT и FS IGBT на токи от 30 до 240 А и напряжения от 600 до 650 В

Основные преимущества Trench PT и FS IGBT Vishay Semiconductors

  • На кристалле расположены один Trench PT и шесть Trench FS IGBT
    • Низкие напряжения коллектор—эмиттер — вплоть до 1.07 В при токе 50% от максимально допустимого значения и температуре +125°C — обеспечивают чрезвычайно низкие потери на проводимость
    • «Мягкое» и быстрое включение и выключение транзисторов способствуют снижению потерь на переключение и уменьшению энергопотребления
  • «Мягкое» выключение уменьшает броски напряжения, позволяет работать в более широком диапазоне мощностей и упрощает разводку схемы
    • Транзисторы Trench PT оптимизированы для работы на низких частотах (до 1 кГц)
    • Транзисторы Trench FS выдерживают режим короткого замыкания в течение 6 мкс и могут работать при температурах до +175°C
    • Оптимизированы для работы совместно с новыми быстродействующими диодами FRED Pt® четвёртого поколения компании Vishay, обладающими «мягкой» характеристикой обратного восстановления

Применение Trench PT и FS IGBT

  • Электроприводы, источники бесперебойного питания, инверторы солнечных батарей и сварочных аппаратов
  • Одно- и трёхфазные инверторы, корректоры коэффициента мощности (PFC), мостовые и полумостовые DC/DC-преобразователи

Как Trench PT, так и Trench FS IGBT компании Vishay Semiconductors оптимизированы для использования в силовых модулях совместно с новыми сверхбыстродействующими диодами FRED Pt четвёртого поколения, обладающими «мягкой» характеристикой обратного восстановления. В этом случае модули характеризуются чрезвычайно низким уровнем генерируемых электромагнитных помех и высокой надёжностью.

Технология платформы IGBT

Обозначение VCE, В IC, А VCE(ON)/ VCE(SAT), В Технология Размер кристалла, мм Тип кристалла
VS-GC200A060LC 600 200 1.34 Trench PT 12.7 × 10.3 Разрезан
VS-GC200A060LB 600 200 1.34 Trench PT 12.7 × 10.3 Не разрезан
VS-GC200C060TC 600 200 1.45 Trench FS 10.3 × 9.8 Разрезан
VS-GC200C060TB 600 200 1.45 Trench FS 10.3 × 9.8 Не разрезан
VS-GC200C065TC 650 200 1.6 Trench FS 10.3 × 9.8 Разрезан
VS-GC200C065TB 650 200 1.6 Trench FS 10.3 × 9.8 Не разрезан
VS-GC030C060TC 600 30 1.5 Trench FS 3.5 × 4.3 Разрезан
VS-GC030C060TB 600 30 1.5 Trench FS 3.5 × 4.3 Не разрезан
VS-GC030C065TC 650 30 1.55 Trench FS 3.5 × 4.3 Разрезан
VS-GC030C065TB 650 30 1.55 Trench FS 3.5 × 4.3 Не разрезан
VS-GC240C060TC 600 240 1.4 Trench FS 12.6 × 10.3 Разрезан
VS-GC240C060TB 600 240 1.4 Trench FS 12.6 × 10.3 Не разрезан
VS-GC240C065TC 650 240 1.55 Trench FS 12.6 × 10.3 Разрезан
VS-GC240C065TB 650 240 1.55 Trench FS 12.6 × 10.3 Не разрезан

 

Техническая поддержка: Vishay@symmetron.ru

Электронные компоненты Vishay »»