|
|
Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 600 В с обратным EmCon диодом серии HighSpeed 30-100 кГц
| Наименование |
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при 150°С, В |
Ток коллектора при 25°С, А |
Ток коллектора при 100°С, А |
Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт |
Тип корпуса |
| IKA03N120H2 |
2,5 |
- |
8,2 |
29,0 |
TO-220 |
| IKP01N120H2 |
2,5 |
3,2 |
1,3 |
28,0 |
TO-220 |
| IKB03N120H2 |
2,5 |
9,6 |
3,9 |
62,5 |
TO-220 |
| IKP03N120H2 |
2,5 |
9,6 |
3,9 |
62,5 |
TO-220 |
| IKW03N120H2 |
2,5 |
9,6 |
3,9 |
62,5 |
TO-247 |
 Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>
|
|
|
СИММЕТРОН
