Комплексные поставки электронных компонентов
Infineon

Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 600 В с обратным EmCon диодом серии HighSpeed 30-100 кГц

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 100°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
IKA03N120H2 2,5 - 8,2 29,0 TO-220
IKP01N120H2 2,5 3,2 1,3 28,0 TO-220
IKB03N120H2 2,5 9,6 3,9 62,5 TO-220
IKP03N120H2 2,5 9,6 3,9 62,5 TO-220
IKW03N120H2 2,5 9,6 3,9 62,5 TO-247

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru




 

   ?