|
|
Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 600 В с обратным EmCon диодом серии HighSpeed 30-100 кГц
| Наименование |
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при 150°С, В |
Ток коллектора при 25°С, А |
Ток коллектора при 150°С, А |
Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт |
Тип корпуса |
| SKB06N60HS |
3,5 |
12,0 |
6,0 |
68,0 |
TO-220 |
| SKB15N60HS |
3,5 |
27,0 |
15,0 |
138,0 |
TO-220 |
| SKW30N60HS |
3,5 |
41,0 |
30,0 |
250,0 |
TO-247 |
| SKW20N60HS |
3,5 |
36,0 |
20,0 |
178,0 |
TO-247 |
Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>
|
|
|