Комплексные поставки электронных компонентов
Infineon

Высокоскоростные IGBT – транзисторы на 600 В с обратным EmCon диодом серии HighSpeed 30-100 кГц

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 150°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
SKB06N60HS 3,5 12,0 6,0 68,0 TO-220
SKB15N60HS 3,5 27,0 15,0 138,0 TO-220
SKW30N60HS 3,5 41,0 30,0 250,0 TO-247
SKW20N60HS 3,5 36,0 20,0 178,0 TO-247

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru




 

   ?