Статьи
- 14 сентября 2021
- Приблизительное время чтения: 9 минут
Повышение надежности высокоэффективных SiC MOSFET
Чтобы удовлетворить требования к эффективности SiC MOSFET, при проектировании необходимо уделить особое внимание обеспечению надежности, а также точно выбрать толщину оксидного слоя затвора.Тщательное тестирование должно подтвердить соответствие приложения заданным параметрам.
Фильтр статей