- Артикул: 00205507
- Количество в упаковке: 588
- Стандартная упаковка: Полупроводниковая пластина
SIGC156T120R2CX1SA4 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Positive temperature coefficient
Easy paralleling
High robustness
IGBT кристалл 1200 В, 100А, IGBT2
Easy paralleling
High robustness
IGBT кристалл 1200 В, 100А, IGBT2
Производитель
Infineon
Код товара производителя
SIGC156T120R2CX1SA4
Наименование класса номенклатуры
IGBT кристалл
OPN
SP000012029
Основные характеристики
Vce
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
100 А
Технология
IGBT2
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Полупроводниковая пластина
Количество в упаковке
588
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
64.03 КБ
IGBT кристалл SIGC156T120R2CX1SA4, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента SIGC156T120R2CX1SA4: Vce: 1200 В; I c: 100 А; Технология: IGBT2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента SIGC156T120R2CX1SA4: Vce: 1200 В; I c: 100 А; Технология: IGBT2.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.