- Артикул: 00273872
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGP30B60KD-EP Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 30А, 5~40 кГц, 1.3В, TO-247AD
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGP30B60KD-EP
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001549784
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
30 А
f раб.
(рабочая частота)
5~40 кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.3 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-247AD
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
272.57 КБ
pdf
272.57 КБ
IGBT транзистор IRGP30B60KD-EP, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGP30B60KD-EP: V ce: 600 В; I c: 30 А; f раб.: 5~40 кГц; V CE(on): 1.3 В; Корпус: TO-247AD.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGP30B60KD-EP: V ce: 600 В; I c: 30 А; f раб.: 5~40 кГц; V CE(on): 1.3 В; Корпус: TO-247AD.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.