Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы

Производитель:
Infineon
ещё-2
Удалить все фильтры
Производитель
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Q g
I d
Корпус
image/svg+xml
Код товара производителя
IMZ120R045M1XKSA1
IMW120R045M1XKSA1
IMW120R350M1HXKSA1
IMW120R220M1HXKSA1
IMW120R140M1HXKSA1
IMW120R090M1HXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1
IMZ120R030M1HXKSA1
IMW65R027M1HXKSA1
IMZ120R060M1HXKSA1
IMBF170R650M1XTMA1
IMBF170R1K0M1XTMA1
IMW65R048M1HXKSA1
IMW65R107M1HXKSA1
IMW65R072M1HXKSA1
IMBG120R060M1HXTMA1
IMBG120R090M1HXTMA1
IMBG120R140M1HXTMA1
IMBG120R350M1H
Производитель
Описание
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Q g
I d
Корпус
Наличие
Цена от
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 59 мОм, 52 нКл, 52 А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-4 Нет в наличии 967.50 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 59 мОм, 52 нКл, 52 А, TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 006.20 руб./шт.
от 240 шт. 967.50 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 59 мОм, 52 нКл, 52 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 59 мОм 52 нКл 52 А TO-247-3 Нет в наличии 948.83 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R045M1XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 59 мОм, 52 нКл, 52 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 30 штук в пенале
от 1 шт. 986.78 руб./шт.
от 240 шт. 948.83 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 455 мОм, 5.3 нКл, 4.7 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 455 мОм 5.3 нКл 4.7 А TO-247-3 Нет в наличии 339.47 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 455 мОм, 5.3 нКл, 4.7 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 353.05 руб./шт.
от 240 шт. 339.47 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 286 мОм, 8.5 нКл, 13 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 286 мОм 8.5 нКл 13 А TO-247-3 Нет в наличии 368.33 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 286 мОм, 8.5 нКл, 13 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 30 штук в пенале
от 1 шт. 383.06 руб./шт.
от 240 шт. 368.33 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 182 мОм, 13 нКл, 19 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 182 мОм 13 нКл 19 А TO-247-3 Нет в наличии 412.46 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R140M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 182 мОм, 13 нКл, 19 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 428.96 руб./шт.
от 240 шт. 412.46 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 117 мОм, 21 нКл, 26 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 117 мОм 21 нКл 26 А TO-247-3 Нет в наличии 526.19 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 117 мОм, 21 нКл, 26 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 547.24 руб./шт.
от 240 шт. 526.19 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 78 мОм, 31 нКл, 36 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 78 мОм 31 нКл 36 А TO-247-3 Нет в наличии 668.77 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 78 мОм, 31 нКл, 36 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 8 штук в коробке
от 1 шт. 695.52 руб./шт.
от 240 шт. 668.77 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 40 мОм, 63 нКл, 56 А, TO-247-3 N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-3 Нет в наличии 1 223.80 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 40 мОм, 63 нКл, 56 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии 240 штук в пенале
от 1 шт. 1 272.76 руб./шт.
от 240 шт. 1 223.80 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 40 мОм, 63 нКл, 56 А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 40 мОм 63 нКл 56 А TO-247-4 Нет в наличии 1 300.18 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 40 мОм, 63 нКл, 56 А, TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 352.18 руб./шт.
от 240 шт. 1 300.18 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650 В, 27 мОм, 62 нКл, 47 А, TO-247-3 N-Channel 650 В 27 мОм 62 нКл 47 А TO-247-3 Нет в наличии 1 394.18 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R027M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 650 В, 27 мОм, 62 нКл, 47 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 1 449.95 руб./шт.
от 240 шт. 1 394.18 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 60 мОм, 31 нКл, 36 А, TO-247-4 N-Channel 1200 В 60 мОм 31 нКл 36 А TO-247-4 Нет в наличии 719.68 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1200 В, 60 мОм, 31 нКл, 36 А, TO-247-4
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 748.48 руб./шт.
от 240 шт. 719.68 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1700 В, 650 мОм, 8 нКл, 7.4 А, PG-TO263-7 N-Channel 1700 В 650 мОм 8 нКл 7.4 А PG-TO263-7 Нет в наличии 293.18 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R650M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1700 В, 650 мОм, 8 нКл, 7.4 А, PG-TO263-7
Добавить в избранное
Нет в наличии 15 штук в коробке
от 1 шт. 304.91 руб./шт.
от 1000 шт. 293.18 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1700 В, 1000 мОм, 5 нКл, 5.2 А, PG-TO263-7 N-Channel 1700 В 1000 мОм 5 нКл 5.2 А PG-TO263-7 Нет в наличии 242.33 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1700 В, 1000 мОм, 5 нКл, 5.2 А, PG-TO263-7
Добавить в избранное
Нет в наличии 15 штук в коробке
от 1 шт. 252.02 руб./шт.
от 1000 шт. 242.33 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650 В, 48 мОм, 33 нКл, 24 А, TO-247AC N-Channel 650 В 48 мОм 33 нКл 24 А TO-247AC Нет в наличии 842.32 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R048M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 650 В, 48 мОм, 33 нКл, 24 А, TO-247AC
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 876.01 руб./шт.
от 240 шт. 842.32 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650 В, 107 мОм, 15 нКл, 20 А, TO-247-3 N-Channel 650 В 107 мОм 15 нКл 20 А TO-247-3 Нет в наличии 501.89 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 650 В, 107 мОм, 15 нКл, 20 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 521.96 руб./шт.
от 240 шт. 501.89 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 650 В, 72 мОм, 22 нКл, 26 А, TO-247-3 N-Channel 650 В 72 мОм 22 нКл 26 А TO-247-3 Нет в наличии 635.17 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 650 В, 72 мОм, 22 нКл, 26 А, TO-247-3
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 660.58 руб./шт.
от 240 шт. 635.17 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 83 мОм, 34 нКл , 36 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA N-Channel 1.2 кВ 83 мОм 34 нКл 36 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Нет в наличии 762.49 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 83 мОм, 34 нКл , 36 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 792.98 руб./шт.
от 1000 шт. 762.49 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 125 мОм, 23 нКл , 26 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA N-Channel 1.2 кВ 125 мОм 23 нКл 26 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Нет в наличии 607.55 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 125 мОм, 23 нКл , 26 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
от 1 шт. 631.85 руб./шт.
от 1000 шт. 607.55 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 189 мОм, 13.4 нКл , 18 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA N-Channel 1.2 кВ 189 мОм 13.4 нКл 18 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Нет в наличии 479.32 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 189 мОм, 13.4 нКл , 18 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Нет в наличии 6 штук в коробке
от 1 шт. 498.48 руб./шт.
от 1000 шт. 479.32 руб./шт.
Infineon SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 468 мОм, 5.9 нКл , 4.7 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA N-Channel 1.2 кВ 468 мОм 5.9 нКл 4.7 А TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Нет в наличии -
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
IMBG120R350M1H Infineon
Полная карточка товара
SiC транзистор N-Channel, 1.2 кВ, 468 мОм, 5.9 нКл , 4.7 А, TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Добавить в избранное
Нет в наличии Поштучная продажа
  • Назад
  • 1
  • Вперед
    • 50
    • 150
    • 250
Для комфортного просмотра контента на мобильном устройстве, приведите устройство в горизонтальное положение