Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IPD80R2K8CEBTMA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IPD80R2K8CEBTMA1 Производитель: Infineon OPN: SP001100602
IPD80R2K8CEBTMA1 Infineon | IPD80R2K8CEBTMA1 купить на Symmetron.ru, спецификации, схемы IPD80R2K8CEBTMA1 Infineon
  • Кратность продажи: 1
  • Мин. количество к продаже: 1

Спецификация

Low specific on-state resistance (R DS(on)*A)
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @ 400V
Low gate charge (Q g)
Field-proven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998
Производитель Infineon
Код товара производителя IPD80R2K8CEBTMA1
OPN SP001100602
Основные характеристики
Полярность N-Channel
V(br)dss (напряжение сток-исток) 800 В
Rds(on) (сопротивление канала) 2800 мОм
Q g (заряд затвора) 12 нКл
Тип монтажа SMD/SMT
Диапазон рабочих температур -55°C~150°C
Размеры
Корпус DPak (TO-252)
Упаковка
Количество в упаковке 1
Кратность (продажи) 1

Документация и файлы для загрузки


Нет в наличии
Поштучная продажа
от 1 шт. 8.17 руб./шт.
Запросить условия поставки
MOSFET транзистор IPD80R2K8CEBTMA1, производителя Infineon.
Ключевые параметры компонента IPD80R2K8CEBTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 2800 мОм; Q g: 12 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
.

Если вам требуется больше, чем наш складской остаток, вы можете "Запросить большее количество", перейдя по ссылке в карточке товара. Мы сформируем для вас прямую поставку от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.