Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

SPW17N80C3FKSA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: SPW17N80C3FKSA1 Производитель: Infineon OPN: SP000013369, SPW17N80C3FKSA1
SPW17N80C3FKSA1 Infineon | SPW17N80C3FKSA1 купить на Symmetron.ru, спецификации, схемы SPW17N80C3FKSA1 Infineon
  • Артикул: 00171175
  • Кратность продажи: 1
  • Стандартная упаковка: Пенал

Спецификация

MOSFET транзистор SPW17N80C3 INF

Low specific on-state resistance
(R on*A)
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V
Low gate charge (Q g)
Fieldproven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998

MOSFET транзистор N-Channel, 800В, 290 мОм, 91 нКл, TO-247AC
Производитель Infineon
Код товара производителя SPW17N80C3FKSA1
OPN SP000013369, SPW17N80C3FKSA1
Основные характеристики
Полярность N-Channel
V(br)dss (напряжение сток-исток) 800 В
Rds(on) (сопротивление канала) 290 мОм
Q g (заряд затвора) 91 нКл
Диапазон рабочих температур -55°C~150°C
Тип монтажа Through Hole
Размеры
Корпус TO-247AC
Сертификаты
Соответствие ROHS да
Упаковка
Упаковка (стандартная) Пенал
Количество в упаковке 30
Кратность (продажи) 1

Документация и файлы для загрузки

В наличии 1855 штук
30 штук в пенале
от 1 шт. 238.51 руб./шт.
от 10 шт. 230.57 руб./шт.
от 100 шт. 222.62 руб./шт.
от 240 шт. 214.68 руб./шт.
- +
238.51 руб.
Добавить в корзину
MOSFET транзистор SPW17N80C3FKSA1, производителя Infineon.
Ключевые параметры компонента SPW17N80C3FKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800В; Rds(on): 290 мОм; Q g: 91 нКл; I d: ; Корпус: TO-247AC.
В наличии 1855 шт. доступные для заказа со склада компании.

Если вам требуется большее, чем наш складской остаток, вы можете "Запросить большее количество", перейдя по ссылке в карточке товара. Мы сформируем для вас прямую поставку от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.