| IRAM136-3063B |
| IRSM836-045MATR |
| IRAMX16UP60A |
| IKCM10H60GAXKMA1 |
| IGCM10F60GAXKMA1 |
| IKCM10L60GAXKMA1 |
| IKCM10B60GAXKMA1 |
| IKCM10L60HAXKMA1 |
| IRAM256-1567A |
| IRAM256-2067A |
| IRSM506-076PA |
| IGCM04F60GAXKMA1 |
| IM818MCCXKMA1 |
| IGCM04F60HAXKMA1 |
| IGCM04G60HAXKMA1 |
| IGCM06F60HAXKMA1 |
| IGCM06G60HAXKMA1 |
| IGCM10F60HAXKMA1 |
| IGCM15F60HAXKMA1 |
| IGCM20F60HAXKMA1 |
| IKCM10H60HAXKMA1 |
| IKCM15H60HAXKMA1 |
| IKCM15L60GAXKMA1 |
| IKCM15L60HAXKMA1 |
| IKCM30F60HAXKMA1 |
| IKCM20R60GDXKMA1 |
| IFCM20T65GDXKMA1 |
| IGCM04G60GAXKMA1 |
| IGCM06G60GAXKMA1 |
| IKCM15R60GDXKMA1 |
| IKCM20L60HAXKMA1 |
| IKCM20L60HDXKMA1 |
| IKCM30F60HDXKMA1 |
| IFCM20U65GDXKMA1 |
| IFCM30T65GDXKMA1 |
| IFCM30U65GDXKMA1 |
| IKCM15F60HAXKMA1 |
| IKCM15L60HDXKMA1 |
| IFCM15S60GDXKMA1 |
| IFCM15P60GDXKMA1 |
| IFCM10S60GDXKMA1 |
| IFCM10P60GDXKMA1 |
| IRSM836-024MA |
| IRSM836-044MA |
| IRSM836-035MB |
| IRSM836-084MA |
| IRSM807-045MH |
| IRDM982-035MBTR |
| IRDM983-025MBTR |
| IRSM005-301MHTR |
| Infineon | 600 В | 30 А | Integrated Gate Drivers | SIP-25 | IGBT | Под заказ | 2 325.38 руб./шт. | IRAM136-3063B Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Integrated Gate Drivers; Корпус: SIP-25; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IRAM136-3063B Infineon
Полная карточка товара
IRAM136-3063B Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Integrated Gate Drivers; Корпус: SIP-25; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
7 Штук в Пенале
от 1 шт.
2 325.38 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 500 В | 4 А | 3 Phase Open Source | PQFN 12 x 12 | MOSFET | Под заказ | - | IRSM836-045MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: PQFN 12 x 12; Тип транзистора: MOSFET |
|
Интеллектуальные модули
IRSM836-045MATR Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-045MATR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: PQFN 12 x 12; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Россыпи
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 16 А | Integrated Gate Drivers and Bootstrap Diodes | SIP-23 | IGBT | Под заказ | - | IRAMX16UP60A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 16 А; Конфигурация: Integrated Gate Drivers and Bootstrap Diodes; Корпус: SIP-23; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IRAMX16UP60A Infineon
Полная карточка товара
IRAMX16UP60A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 16 А; Конфигурация: Integrated Gate Drivers and Bootstrap Diodes; Корпус: SIP-23; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Россыпи
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 10 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IKCM10H60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM10H60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM10H60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
14 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 10 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IGCM10F60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM10F60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM10F60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Россыпи
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 10 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IKCM10L60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM10L60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM10L60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Россыпи
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 10 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 9 руб./шт. | IKCM10B60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM10B60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM10B60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
3 Штуки в Россыпи
от 1 шт.
9 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | - | - | - | - | - | Под заказ | - | IKCM10L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, |
|
Интеллектуальные модули
IKCM10L60HAXKMA1 Infineon
Под заказ
10 Штук в Россыпи
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | Integrated gate drivers and bootstrap diodes | SIP-29 | IGBT | Под заказ | 1 253.42 руб./шт. | IRAM256-1567A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: Integrated gate drivers and bootstrap diodes; Корпус: SIP-29; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IRAM256-1567A Infineon
Полная карточка товара
IRAM256-1567A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: Integrated gate drivers and bootstrap diodes; Корпус: SIP-29; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
80 Штук в Россыпи
от 1 шт.
1 253.42 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 20 А | Integrated gate drivers and bootstrap diodes | SIP-29 | IGBT | Под заказ | - | IRAM256-2067A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: Integrated gate drivers and bo; Корпус: SIP-29; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IRAM256-2067A Infineon
Полная карточка товара
IRAM256-2067A Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: Integrated gate drivers and bo; Корпус: SIP-29; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 5 А | 3-phase inverter including high voltage gate drivers | SOP23 | IGBT | Под заказ | - | IRSM506-076PA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 3-phase inverter including hig; Корпус: SOP23; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IRSM506-076PA Infineon
Полная карточка товара
IRSM506-076PA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 5 А; Конфигурация: 3-phase inverter including hig; Корпус: SOP23; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
15 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 4 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IGCM04F60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM04F60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM04F60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
4 Штуки в Россыпи
|
||||||||
| Infineon | 1200 В | 10 А | Sixpack | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IM818MCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: Sixpack; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IM818MCCXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IM818MCCXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 1200 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: Sixpack; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
7 Штук в Россыпи
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 4 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 919.38 руб./шт. | IGCM04F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM04F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM04F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
919.38 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 4 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IGCM04G60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM04G60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM04G60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 6 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 021.99 руб./шт. | IGCM06F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM06F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM06F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 021.99 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 6 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0.89 руб./шт. | IGCM06G60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM06G60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM06G60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
0.89 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 10 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 541.83 руб./шт. | IGCM10F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM10F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM10F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
541.83 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 091.45 руб./шт. | IGCM15F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM15F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM15F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 091.45 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 20 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0.89 руб./шт. | IGCM20F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM20F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM20F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
0.89 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 10 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 099.73 руб./шт. | IKCM10H60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM10H60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM10H60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 099.73 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 180.58 руб./шт. | IKCM15H60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM15H60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15H60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
14 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 180.58 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IKCM15L60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM15L60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15L60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 115.28 руб./шт. | IKCM15L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM15L60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 115.28 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 30 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 545.44 руб./шт. | IKCM30F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM30F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM30F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 545.44 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 20 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IKCM20R60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM20R60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM20R60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 650 В | 20 А | 2 Phase Interleaved PFC | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IFCM20T65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 2 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IFCM20T65GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM20T65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 2 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 4 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IGCM04G60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM04G60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM04G60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 6 А | 3 Phase Common Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IGCM06G60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IGCM06G60GAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IGCM06G60GAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 6 А; Конфигурация: 3 Phase Common Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | 2 Phase Switched Reluctance Drives | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IKCM15R60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 2 Phase Switched Reluctance Dr; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM15R60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15R60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 2 Phase Switched Reluctance Dr; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 20 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IKCM20L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM20L60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM20L60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 20 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 616.95 руб./шт. | IKCM20L60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM20L60HDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM20L60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 616.95 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 30 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 1 871.93 руб./шт. | IKCM30F60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM30F60HDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM30F60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
1 871.93 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 650 В | 20 А | 3 Phase Interleaved PFC | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IFCM20U65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IFCM20U65GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM20U65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 20 А; Конфигурация: 3 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 650 В | 30 А | 2 Phase Interleaved PFC | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IFCM30T65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 2 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IFCM30T65GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM30T65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 2 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 650 В | 30 А | 3 Phase Interleaved PFC | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IFCM30U65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IFCM30U65GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM30U65GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 650 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: 3 Phase Interleaved PFC; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0.89 руб./шт. | IKCM15F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM15F60HAXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15F60HAXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
0.89 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | 3 Phase Open Emitter | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | 0.89 руб./шт. | IKCM15L60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IKCM15L60HDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IKCM15L60HDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: 3 Phase Open Emitter; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
от 1 шт.
0.89 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | PFC Integrated | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IFCM15S60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IFCM15S60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM15S60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 15 А | PFC Integrated | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IFCM15P60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IFCM15P60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM15P60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 15 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 10 А | PFC Integrated | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IFCM10S60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IFCM10S60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM10S60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 600 В | 10 А | PFC Integrated | PG-MDIP-24 | IGBT | Под заказ | - | IFCM10P60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IFCM10P60GDXKMA1 Infineon
Полная карточка товара
IFCM10P60GDXKMA1 Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 600 В; Iс/Io: 10 А; Конфигурация: PFC Integrated; Корпус: PG-MDIP-24; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
280 Штук в Пенале
|
||||||||
| Infineon | 250 В | 2 А | 3 Phase Open Source | QFN 12 x 12 36L | MOSFET | Под заказ | - | IRSM836-024MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET |
|
Интеллектуальные модули
IRSM836-024MA Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-024MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
800 Штук в Паллете
|
||||||||
| Infineon | 250 В | 4 А | 3 Phase Open Source | QFN 12 x 12 36L | MOSFET | Под заказ | - | IRSM836-044MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET |
|
Интеллектуальные модули
IRSM836-044MA Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-044MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
800 Штук в Паллете
|
||||||||
| Infineon | 250 В | 3 А | 3 Phase Common Source | QFN 12 x 12 27L | MOSFET | Под заказ | - | IRSM836-035MB Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 3 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source; Корпус: QFN 12 x 12 27L; Тип транзистора: MOSFET |
|
Интеллектуальные модули
IRSM836-035MB Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-035MB Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 3 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source; Корпус: QFN 12 x 12 27L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
800 Штук в Паллете
|
||||||||
| Infineon | 250 В | 7 А | 3 Phase Open Source | QFN 12 x 12 36L | MOSFET | Под заказ | - | IRSM836-084MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 7 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET |
|
Интеллектуальные модули
IRSM836-084MA Infineon
Полная карточка товара
IRSM836-084MA Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 250 В; Iс/Io: 7 А; Конфигурация: 3 Phase Open Source; Корпус: QFN 12 x 12 36L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
800 Штук в Паллете
|
||||||||
| Infineon | 500 В | 4 А | Half-Bridge | QFN 9 x 8 31L | MOSFET | Под заказ | - | IRSM807-045MH Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 9 x 8 31L; Тип транзистора: MOSFET |
|
Интеллектуальные модули
IRSM807-045MH Infineon
Полная карточка товара
IRSM807-045MH Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 4 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 9 x 8 31L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
1300 Штук в Паллете
|
||||||||
| Infineon | 500 В | 3 А | 3 Phase Common Source + Control | QFN 12 x 12 40L | IGBT | Под заказ | 0.89 руб./шт. | IRDM982-035MBTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 3 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: QFN 12 x 12 40L; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IRDM982-035MBTR Infineon
Полная карточка товара
IRDM982-035MBTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 3 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: QFN 12 x 12 40L; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
от 1 шт.
0.89 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 500 В | 2 А | 3 Phase Common Source + Control | QFN 12 x 12 40L | IGBT | Под заказ | 0.89 руб./шт. | IRDM983-025MBTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: QFN 12 x 12 40L; Тип транзистора: IGBT |
|
Интеллектуальные модули
IRDM983-025MBTR Infineon
Полная карточка товара
IRDM983-025MBTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 500 В; Iс/Io: 2 А; Конфигурация: 3 Phase Common Source + Control; Корпус: QFN 12 x 12 40L; Тип транзистора: IGBT
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
от 1 шт.
0.89 руб./шт.
|
||||||||
| Infineon | 100 В | 30 А | Half-Bridge | QFN 7 x 8 27L | MOSFET | Под заказ | - | IRSM005-301MHTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 100 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 7 x 8 27L; Тип транзистора: MOSFET |
|
Интеллектуальные модули
IRSM005-301MHTR Infineon
Полная карточка товара
IRSM005-301MHTR Infineon, Интеллектуальные модули, Vrrm: 100 В; Iс/Io: 30 А; Конфигурация: Half-Bridge; Корпус: QFN 7 x 8 27L; Тип транзистора: MOSFET
Добавить в избранное
Под заказ
2000 Штук в Катушке
|
||||||||