Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

Июль 2021

29

SiC MOSFET и организация сиcтем питания для их драйверов затвора

Доклад Infineon, Артем Федоровский (45 мин):

Особенности применения дискретных SiC MOSFET в преобразовательной технике

Преимущества использования SiC-полупроводников в источниках питания. Параметры SiC MOSFET, обеспечивающие конкурентное преимущество по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET- и IGBT-транзисторами. Отличия в подходе при проектировании. Обзор новинок SiC MOSFET, драйверов затвора для них, а так же специализированных решений для построения преобразовательной техники на их основе.

Доклад Wurth Elektronik, Артем Беляков (45 мин):

Организация вспомогательного изолированного питания для драйверов затвора SiC MOSFET

Типы изолированных систем питания для драйверов затвора SiC MOSFET. Какие требования к ним предъявляются? Однополярное или двуполярное питание? Требования к трансформатору. Необходимая мощность, пример расчета. Изолированный вспомогательный источник питания для драйверов SiC MOSFET на базе трансформаторов серии WE-AGDT. Интеграция систем питания драйверов затвора SiC MOSFET на реальных примерах.

Вопросы и обсуждение 15 минут.


Производители