Новые 1200 В гальванически развязанные одноканальные ИС Infineon Technologies
ИС семейства EiceDRIVER™ Compact Infineon предназначены для управления MOSFET и IGBT транзисторами и обеспечивают выходной ток до 6 А.
Контроллеры изготавливаются по технологии с использованием трансформаторов без сердечников, что позволяет обеспечить гальваническую развязку в 1200 В и применить данные ИС для управления 600, 650 и 1200 В IGBT , а так же 650 В MOSFET транзисторами семейства CoolMOS ™.
EiceDRIVER™ Compact доступны в пяти вариантах с отдельными выходами заряда и разряда затвора транзистора, а так же в трех вариантах с различными выходными токами с активным подавлением эффекта Миллера (active Miller clamp) для IGBT . Все ИС представлены в корпусах DSO-8.
Схема управления IGBT (например, TRENCHSTOP 5)
Вариант с отдельными выходами заряда и разряда затвора.
Вариант с одним выходом и с подавлением эффекта Миллера.
1EDI60N12AF предназначена для управления MOSFET транзисторами, обеспечивает выходной ток в 6 А и идеально подходит для построения импульсных источников питания, работающих на частотах до 4 МГц. Использование данной ИС совместно новыми высокоэффективными транзисторами Infineon серии C 7 позволяет значительно улучшить КПД системы. Данный тип контроллера рекомендован для применения в ККМ, серверном оборудовании, Телеком, фотоэлектрических преобразователях, buck/boost преобразователях и компьютерных источниках питания.
1EDI60I12AF, 1EDI40I12AF, 1EDI20I12AF и 1EDI05I12AF предназначены для управления IGBT транзисторами, обеспечивают выходной ток от 0.5 до 6 А. Эти ИС имеют отдельные выходы заряда и разряда затвора.
Дополнительные три варианта 1EDI30I12MF, 1EDI20I12MF и 1EDI10I12MF также управляют IGBT транзисторами, имеют один выход, обеспечивающий ток 1, 2 или 3 А, а также поддерживают функцию ограничения напряжения на затворе (активное подавление эффекта Миллера - active Miller clamp).
Все варианты IGBT драйверов предназначены для применения в сварочном оборудовании, фотоэлектрических преобразователях и источниках бесперебойного питания.
Наименование | 1EDI60N12AF | 1EDI60I12AF | 1EDI40I12AF | 1EDI20I12AF | 1EDI05I12AF |
Корпус | DSO-8 | DSO-8 | |||
Класс напряжения | до 1200 В | до 1200 В | |||
Выходной ток | 6 А/-6 А | 6 А/-6 А | 4 А/-4 А | 2 А/-2 А | 0.5 А/-0.5 А |
Отдельные контура заряда и разряда затвора | ДА | ДА | |||
Active Miller clamp | НЕТ | НЕТ | |||
Тип управляемого транзистора | MOSFET | IGBT | |||
Макс. частота переключения | 4МГц | 1МГц | |||
Рекомендуемые транзисторы | CoolMOS серий С7 и CP | TRENCHSTOP™ 5 |
Наименование | 1EDI30I12MF | 1EDI20I12MF | 1EDI10I12MF |
Корпус | DSO-8 | ||
Класс напряжения | до 1200 В | ||
Выходной ток | 3 А/- 3 А | 2 А/- 2 А | 1 А/- 1 А |
Отдельные контура заряда и разряда затвора | НЕТ | ||
Active Miller clamp | ДА | ||
Тип управляемого транзистора | IGBT | ||
Макс. частота переключения | 1 МГц | ||
Рекомендуемые транзисторы | TRENCHSTOP™ 5 |