Дискретные транзисторы серии CoolMOS™ CFD7

Баланс между эффективностью и надёжностью благодаря наличию быстродействующего встроенного диода.

 600-В CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET — новейшая высоковольтная технология MOSFET SJ со встроенным быстродействующим диодом, завершающая серию CoolMOS™ С7. Это идеальный выбор для резонансных топологий в импульсных источниках питания высокой мощности, таких как серверные, телекоммуникационные и зарядные станции для электромобилей.

Новая серия CoolMOS™ CFD7 является преемником серии CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFET. Серия отличается сниженным зарядом затвора (Qg), улучшенными характеристиками выключения и зарядом обратного восстановления (Qrr), который на 69% меньше по сравнению с конкурентами, а также самым низким временем обратного восстановления (trr) по данному показателю на рынке. Благодаря этим характеристикам достигается высочайшая эффективность и лучшая в своём классе надёжность в топологиях с мягкой коммутацией, таких как мостовые схемы LLC и ZVS со сдвигом фазы. Кроме того, CoolMOS™ CFD7 обеспечивает более высокую удельную мощность благодаря оптимизированному значению R _DS(ON).

Серия 650-В CoolMOS™ MOSFET CFD7 расширяет диапазон напряжений CoolMOS™ SJ MOSFET CFD7 от Infineon, преемника хорошо зарекомендовавшей себя серии CoolMOS™ SJ MOSFET CFD2. Она обеспечивает высочайшие уровни эффективности и плотности мощности в топологиях с мягким переключением благодаря увеличению напряжения пробоя на 50 В, встроенному быстродействующему диоду, улучшенным характеристикам переключения и отличным тепловым характеристикам.

Особенности серии CoolMOS™ CFD7:

• Серия CoolMOS™ SJ со встроенным сверхбыстродействующим диодом
• Лучшая в своём классе величина заряда обратного восстановления (Qrr)
• Повышенная устойчивость обратного диода по dv/dt и di/dt
• Самый низкий показатель FOM (R_DS(ON) x Qg) и E_OSS
• Лучший в своём классе выбор R _DS(ON) и корпусов

 Видеоролик тренинга