Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы

Производитель:
Global Power Technology
ещё-2
Удалить все фильтры
Производитель
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Qrr
I d
Корпус
image/svg+xml
Код товара производителя
G1M080120BM
Производитель
Полярность
V(br)dss
Rds(on)
Qrr
I d
Корпус
Наличие
Цена от
Global Power Technology N-Channel 1200 В 80 мОм 46 нКл 40 А TO-247 Под заказ 2 269.80 руб./шт.
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
G1M080120BM Global Power Technology
Полная карточка товара
SiC транзистор G1M080120BM; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 46 нКл; I d: 40 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ 10 Штук в Пенале
от 1 шт. 2 269.80 руб./шт.
  • Назад
  • 1
  • Вперед
    • 50
    • 150
    • 250
Для комфортного просмотра контента на мобильном устройстве, приведите устройство в горизонтальное положение