Комплексные поставки электронных компонентов
Infineon

Высокоскоростные IGBT - транзисторы на 1200 В серии HighSpeed2 30-100 кГц

Наименование Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при  150°С, В Ток коллектора при 25°С, А Ток коллектора при 150°С, А Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт Тип корпуса
IGB01N120H2 2,4 3,2 1,3 28 D2PAK (TO-263)
IGB03N120H2 2,4 9,6 3,9 62,5 D2PAK (TO-263)
IGD01N120H2 2,4 3,2 1,3 28 DPAK (TO-252)
IGA03N120H2 2,4 0 8,2 29 TO-220
IGP01N120H2 2,4 3,2 1,3 28 TO-220
IGP03N120H2 2,4 9,6 3,9 62,5 TO-220
IGW03N120H2 2,4 9,6 3,9 62,5 TO-247

 

Техническая поддержка: infineon@symmetron.ru




 

   ?