|
|
Высокоскоростные IGBT - транзисторы на 1200 В серии HighSpeed2 30-100 кГц
| Наименование |
Напряжение насыщения коллектор - эмиттер при 150°С, В |
Ток коллектора при 25°С, А |
Ток коллектора при 150°С, А |
Рассеиваемая мощность при 25°С, Вт |
Тип корпуса |
| IGB01N120H2 |
2,4 |
3,2 |
1,3 |
28 |
D2PAK (TO-263) |
| IGB03N120H2 |
2,4 |
9,6 |
3,9 |
62,5 |
D2PAK (TO-263) |
| IGD01N120H2 |
2,4 |
3,2 |
1,3 |
28 |
DPAK (TO-252) |
| IGA03N120H2 |
2,4 |
0 |
8,2 |
29 |
TO-220 |
| IGP01N120H2 |
2,4 |
3,2 |
1,3 |
28 |
TO-220 |
| IGP03N120H2 |
2,4 |
9,6 |
3,9 |
62,5 |
TO-220 |
| IGW03N120H2 |
2,4 |
9,6 |
3,9 |
62,5 |
TO-247 |
 Подробнее о компании Infineon >>>
Электронные компоненты Infineon >>>
|
|
|
СИММЕТРОН
